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Datasheet下载- 型号： IRFBF30PBF
- 制造商： Vishay
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IRFBF30PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBF30PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBF30PBF价格参考。VishayIRFBF30PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRFBF30PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFBF30PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFBF30PBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子领域。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：IRFBF30PBF的低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力使其非常适合用作开关电源中的功率开关，例如降压、升压或反激式转换器。 2. 电机驱动：该器件可用于小型直流电机驱动电路中，作为功率级开关，控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 负载开关：在需要快速切换负载的应用中，如消费电子产品或工业设备中，IRFBF30PBF可以高效地实现负载的开启和关闭。 4. 电池管理：在电池管理系统中，这款MOSFET可以用作保护开关，防止过流、短路或过度放电等情况。 5. 逆变器：在小型逆变器应用中，IRFBF30PBF可以用于将直流电转换为交流电，适用于家用电器或太阳能系统的小型逆变器。 6. LED驱动：在大功率LED照明应用中，该MOSFET可以用作PWM调光控制的开关元件，提供高效的电流调节。 7. 汽车电子：尽管IRFBF30PBF不是专门为汽车设计，但在某些非关键车载应用中（如车窗升降器、座椅调节等），它也可以作为功率开关使用。 8. 电信设备：在电信领域的电源模块中，这款MOSFET可用于电压调节和功率分配。 总的来说，IRFBF30PBF凭借其出色的电气性能和可靠性，在各种需要高效功率切换和控制的场合中表现出色。选择具体应用时，需根据实际电路需求考虑散热设计和工作条件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220ABMOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBF30PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFBF30PBFIRFBF30PBF |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Qg-GateCharge | 78 nC |
| Qg-栅极电荷 | 78 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.7 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.7 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.7 欧姆 @ 2.2A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFBF30PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 90 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 功率耗散 | 125 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 3.7 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 78 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 2.3 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 900 V |
| 漏极连续电流 | 3.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
