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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF820ALPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF820ALPBF价格参考。VishayIRF820ALPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF820ALPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF820ALPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRF820ALPBF是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。该型号具有以下应用场景: 1. 开关电源(SMPS): IRF820ALPBF适用于开关电源中的功率开关角色,用于高效地控制电流的通断。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合DC-DC转换器、AC-DC适配器等应用。 2. 电机驱动: 在小型直流电机或步进电机驱动中,该MOSFET可以用作开关元件,通过PWM(脉宽调制)信号控制电机的速度和方向。 3. 负载开关: 作为负载开关,IRF820ALPBF能够实现对各种负载(如LED灯、传感器或其他电子设备)的快速、可靠控制,同时减少功耗。 4. 电池管理: 在电池管理系统中,该器件可用于保护电路,例如防止过流、短路或反向充电等情况,确保电池的安全运行。 5. 逆变器: 在小型逆变器中,IRF820ALPBF可以用来将直流电转换为交流电,适用于太阳能逆变器或其他便携式逆变设备。 6. 音频放大器: 由于其良好的线性特性和低导通电阻,该MOSFET也可用于音频功率放大器的设计,提供更高的效率和更低的失真。 7. 继电器替代: 在需要高频开关的应用中,IRF820ALPBF可以替代传统的机械继电器,提供更快的响应速度和更长的使用寿命。 总之,IRF820ALPBF凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。具体选择时需根据实际工作电压、电流和频率要求进行匹配设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF820ALPBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91058 |
| 产品型号 | IRF820ALPBFIRF820ALPBF |
| Pd-PowerDissipation | 50 W |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 340pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 欧姆 @ 1.5A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | *IRF820ALPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Tc) |
| 系列 | IRF/SIHF820 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |