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  • 型号: NTMFS4934NT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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NTMFS4934NT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4934NT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4934NT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4934NT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 30V 17.1A (Ta), 147A (Tc) 930mW (Ta), 69.44W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)。您可以下载NTMFS4934NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMFS4934NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 147A SO8FLMOSFET Power MOSFET 30V 147A 2m OHM

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

47.5 A

Id-连续漏极电流

47.5 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4934NT1G-

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产品型号

NTMFS4934NT1G

Pd-PowerDissipation

2.72 W

Pd-功率耗散

2.72 W

Qg-GateCharge

34 nC

Qg-栅极电荷

34 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.2 V

上升时间

36.2 ns

下降时间

9.4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5505pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

34nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

5-DFN, 8-SO 扁引线 (5x6)

其它名称

NTMFS4934NT1GOSCT

功率-最大值

930mW

功率耗散

2.72 W

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

3 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN, 5 引线

封装/箱体

SO-8FL

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

34 nC

标准包装

1

正向跨导-最小值

80 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

47.5 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

17.1A (Ta), 147A (Tc)

系列

NTMFS4934N

配置

Single

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