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Datasheet下载- 型号： NTMFS4934NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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NTMFS4934NT1G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4934NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4934NT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4934NT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 17.1A (Ta), 147A (Tc) 930mW (Ta), 69.44W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)。您可以下载NTMFS4934NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFS4934NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMFS4934NT1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于高性能、低导通电阻的MOSFET器件。该型号广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。 其典型应用场景包括： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、开关电源（SMPS），适用于服务器、通信设备和工业电源模块，因其低导通电阻（RDS(on)）可减少导通损耗，提高能效。 2. 电机驱动：用于电动工具、家用电器及工业控制中的小型电机驱动电路，具备快速开关特性和良好热稳定性。 3. 负载开关与电源管理：在电池供电设备（如笔记本电脑、便携式设备）中作为负载开关，实现对电源路径的高效控制。 4. 照明系统：用于LED驱动电源，支持高频率开关操作，有助于提升调光精度与系统效率。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、车身控制模块（如车灯控制、风扇驱动等），符合AEC-Q101车规标准，具备良好的温度耐受性（工作温度可达175°C）。 NTMFS4934NT1G采用DPAK或TO-252封装，便于散热和PCB布局，适合中高功率应用。其优化的栅极电荷和输出电容特性，有助于降低开关损耗，提升整体系统效率。综合来看，该器件适用于追求小型化、高效率和高可靠性的工业、消费类及汽车电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 147A SO8FLMOSFET Power MOSFET 30V 147A 2m OHM |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 47.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 47.5 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4934NT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTMFS4934NT1G |
| Pd-PowerDissipation | 2.72 W |
| Pd-功率耗散 | 2.72 W |
| Qg-GateCharge | 34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
| 上升时间 | 36.2 ns |
| 下降时间 | 9.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5505pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 5-DFN， 8-SO 扁引线 （5x6） |
| 其它名称 | NTMFS4934NT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 930mW |
| 功率耗散 | 2.72 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 3 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN， 5 引线 |
| 封装/箱体 | SO-8FL |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 34 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 80 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 47.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17.1A （Ta）， 147A （Tc） |
| 系列 | NTMFS4934N |
| 配置 | Single |
