Datasheet下载- 型号： SI7818DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7818DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7818DN-T1-GE3价格参考￥4.18-￥4.24。VishaySI7818DN-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7818DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7818DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7818DN-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：用于降压或升压转换器中的开关元件，能够高效地控制电压转换。 - 负载开关：在便携式设备中作为负载开关，实现快速的接通与断开，同时减少功率损耗。 - 电池管理：用于电池保护电路，防止过流、短路等异常情况。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，提供高效的开关性能和低功耗特性。 - 在电机启动、停止或调速时，能够快速响应并保持稳定运行。 3. 消费类电子产品 - 笔记本电脑和智能手机：用作电源管理芯片的外围开关器件，支持高效的电源分配。 - USB 充电接口：在 USB-C 或其他充电接口中，用于电流限制和保护功能。 4. 工业应用 - 信号切换：在工业自动化设备中，用于高速信号切换，确保数据传输的可靠性和稳定性。 - 继电器替代：由于其快速开关特性和可靠性，可以替代传统机械继电器，降低系统复杂性。 5. 汽车电子 - 车载电子系统：如车内照明、娱乐系统或传感器供电，能够在宽温度范围内稳定工作。 - 电动助力转向 (EPS)：作为驱动电路的一部分，提供高效的功率输出。 6. 通信设备 - 在基站、路由器或其他通信设备中，用于电源管理和信号处理，确保设备的高效运行。 特性优势 - 低导通电阻：减少功率损耗，提高效率。 - 高频率开关能力：适合高频应用，如开关电源和逆变器。 - 小封装尺寸：节省空间，适合紧凑型设计。 - 良好的热性能：能够在较高环境温度下稳定工作。 综上所述，SI7818DN-T1-GE3 适用于需要高效功率转换、快速开关响应和低功耗的各种场景，尤其在消费类电子、工业控制和汽车电子领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8MOSFET 150V 3.4A 3.8W 135mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73252 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7818DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7818DN-T1-GE3SI7818DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 135 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 135 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 135 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7818DN-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7818DN-GE3 |
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