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Datasheet下载- 型号： FDN308P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN308P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN308P价格参考。Fairchild SemiconductorFDN308P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDN308P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDN308P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDN308P 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET/MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 FDN308P 常用于低压电源管理应用中，例如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、负载开关和电池管理电路。由于其低导通电阻（Rds(on)），能够高效地控制电流流动，减少功率损耗。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型直流电机的驱动电路中，适用于玩具、家用电器、打印机等设备中的电机控制。其快速开关特性和低功耗使其成为理想的开关元件。 3. 信号切换 在音频设备、通信设备和其他需要信号切换的应用中，FDN308P 可用作信号路径上的开关，实现信号的通断控制。它支持较宽的电压范围（Vgs = ±20V），能够适应多种信号电平。 4. 消费电子保护电路 该器件可用于手机充电器、USB 集线器、平板电脑等消费电子产品中的过流保护和短路保护电路。通过精确控制栅极电压，可以实现对异常电流的有效限制。 5. 便携式设备 由于其小型封装（SOT-23）和低功耗特性，FDN308P 广泛应用于便携式设备，如移动电源、蓝牙耳机、智能手环等，用于电池管理和功率分配。 6. LED 驱动 在 LED 照明系统中，FDN308P 可作为开关元件用于恒流源电路，确保 LED 的亮度稳定且能耗较低。 总结来说，FDN308P 的典型应用场景包括但不限于电源管理、电机驱动、信号切换、保护电路以及便携式设备中的功率控制。其小尺寸、高效率和可靠性使得它在众多电子设计中备受青睐。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN308PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDN308P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 86 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 86 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 341pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 其它名称 | FDN308PFSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SSOT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A （Ta） |
| 系列 | FDN308P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDN308P_NL |
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