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  • 型号: FDN308P
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDN308P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN308P价格参考。Fairchild SemiconductorFDN308P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDN308P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDN308P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,2.5V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.5 A

Id-连续漏极电流

1.5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN308PPowerTrench®

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产品型号

FDN308P

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

0.5 W

Pd-功率耗散

500 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

86 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

86 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

10 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

341pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.4nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

125 毫欧 @ 1.5A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

3-SSOT

其它名称

FDN308PFSDKR

典型关闭延迟时间

12 ns

功率-最大值

460mW

包装

Digi-Reel®

单位重量

30 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SSOT-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

12 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.5A (Ta)

系列

FDN308P

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FDN308P_NL

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