Datasheet下载- 型号： SI7192DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7192DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7192DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7192DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7192DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7192DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SI7192DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理： 该MOSFET适用于DC-DC转换器、降压/升压电路和开关模式电源（SMPS）中，作为主开关或同步整流器，提供高效的功率转换。 2. 电机驱动： 在小型直流电机或步进电机控制中，SI7192DP-T1-GE3可以用作开关元件，实现精确的速度和方向控制。 3. 负载切换： 在消费电子设备中，用于动态控制负载的开启和关闭，例如USB端口保护、电池充电路径管理等。 4. 电池管理系统（BMS）： 用于锂电池保护电路中，控制充放电回路的通断，确保电池安全运行。 5. 音频放大器： 在D类音频放大器中作为输出级开关，提供高效率和低失真性能。 6. 汽车电子： 适用于车载电子设备中的信号切换和电源调节，如车窗升降器、座椅加热器等应用。 7. 工业自动化： 用于继电器替代、传感器接口和小型执行器驱动等领域，满足工业环境对可靠性和效率的要求。 SI7192DP-T1-GE3凭借其低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，成为上述应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8MOSFET 30V 60A 104W 1.9mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7192DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7192DP-T1-GE3SI7192DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 6.25 W |
| Pd-功率耗散 | 6.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.85 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.85 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 26 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5800pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.9 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7192DP-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 86 ns |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 107 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Vishay/TrenchFET_N.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 系列 | SI71xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | SI7192DP-GE3 |
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