ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRL2203NPBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号： IRL2203NPBF
  • 制造商： International Rectifier
  • 库位|库存： xxxx|xxxx
  • 要求：
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRL2203NPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRL2203NPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL2203NPBF价格参考。International RectifierIRL2203NPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 30V 116A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRL2203NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRL2203NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。 

IRL2203NPBF 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的增强型 N 沟道功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其应用场景主要包括以下几个方面：

 1. 开关电源（SMPS）
   IRL2203NPBF 具有低导通电阻（Rds(on)），非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的导通和关断，适用于降压、升压或反激式转换器等拓扑结构。

 2. 电机驱动
   该器件常用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。由于其低 Rds(on) 和高电流承载能力，可以有效减少功耗并提高效率。同时，其快速开关特性使其适合 PWM（脉宽调制）控制。

 3. 电池管理
   在电池管理系统中，IRL2203NPBF 可用作充电/放电路径的开关，实现对电池电流的精确控制。例如，在锂电池保护电路中，它可以防止过流、短路或过充等问题。

 4. 负载开关
   作为负载开关，IRL2203NPBF 能够快速切换负载的供电状态，同时保持较低的电压降。这种应用常见于消费电子设备（如智能手机、平板电脑）中，用于管理不同模块的供电。

 5. 逆变器与太阳能系统
   在小型逆变器或太阳能微逆变器中，IRL2203NPBF 可以用作功率级开关，将直流电转换为交流电。其高效的开关性能有助于提高能量转换效率。

 6. LED 驱动
   该 MOSFET 还可用于大功率 LED 的驱动电路中，通过 PWM 或恒流控制调节 LED 的亮度。其低导通损耗特性可确保在长时间运行时保持较低的温升。

 7. 汽车电子
   在汽车领域，IRL2203NPBF 可用于车身控制模块（BCM）、电动座椅、车窗升降器等需要大电流驱动的应用中。此外，它也适合用作继电器替代方案，简化电路设计。

 总结
IRL2203NPBF 凭借其低导通电阻（典型值为 8.5mΩ）、高电流能力（最大 98A）以及良好的热性能，广泛应用于高效能功率转换和控制场景。无论是工业、消费类还是汽车电子领域，这款 MOSFET 都能提供可靠的性能支持。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品
描述

MOSFET N-CH 30V 116A TO-220ABMOSFET MOSFT 30V 100A 7mOhm 40nC Log LvlAB
产品分类

FET - 单分离式半导体
FET功能

逻辑电平门
FET类型

MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent

100 A
Id-连续漏极电流

100 A
品牌

International Rectifier
产品手册

点击此处下载产品Datasheet
产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL2203NPBFHEXFET®
数据手册

点击此处下载产品Datasheet
产品型号

IRL2203NPBF
Pd-PowerDissipation

130 W
Pd-功率耗散

130 W
Qg-GateCharge

40 nC
Qg-栅极电荷

40 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance

10 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻

10 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V
Vds-漏源极击穿电压

30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

16 V
Vgs-栅源极击穿电压

16 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)

3290pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

60nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）

7 毫欧 @ 60A，10V
产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet
产品种类

MOSFET
供应商器件封装

TO-220AB
其它名称

*IRL2203NPBF
功率-最大值

180W
功率耗散

130 W
包装

管件
商标

International Rectifier
安装类型

通孔
安装风格

Through Hole
导通电阻

10 mOhms
封装

Tube
封装/外壳

TO-220-3
封装/箱体

TO-220-3
工厂包装数量

50
晶体管极性

N-Channel
栅极电荷Qg

40 nC
标准包装

50
汲极/源极击穿电压

30 V
漏极连续电流

100 A
漏源极电压(Vdss)

30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）

116A （Tc）
设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irl2203n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irl2203n.spi
闸/源击穿电压

16 V
推荐商品

型号：AOD7N60

品牌：Alpha & Omega Semiconductor Inc.

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IRFZ44NSTRRPBF

品牌：Infineon Technologies

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IXFR120N20

品牌：IXYS

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：TK56E12N1,S1X

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：APT30M70BVRG

品牌：Microsemi Corporation

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：ZVN4525GTC

品牌：Diodes Incorporated

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IRL7833S

品牌：Infineon Technologies

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IRFZ24NSTRLPBF

品牌：Infineon Technologies

产品名称：分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
最新资讯
IRL2203NPBF 相关产品

STP130N10F3

品牌：STMicroelectronics

价格：

联系销售

BSS123

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系销售

IRFZ44ZS

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

FQB17P06TM

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系销售

IRLL2703

品牌：Infineon Technologies

价格：￥询价-￥询价

联系销售

FDZ371PZ

品牌：ON Semiconductor

价格：￥2.67-￥4.28

联系销售

NTF3055-160T1

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系销售

IRFH9310TRPBF

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售
猜你喜欢 最新产品推荐 其他制造商
IRF7831TRPBF
PSMN057-200P,127
IRFS4115TRLPBF
IRLI540GPBF
FDB6021P
FDN359AN
SI4410BDY-T1-E3
BUK764R0-55B,118
IXTK22N100L
IRLR130ATM
STW20NM60
TPS1100D
IPB35N10S3L26ATMA1
BUK7510-55AL,127
SI4156DY-T1-GE3
PSMN165-200K,518
IRF7807ATR
ZVN2120GTC
AO3407A
IRLR3705Z
BUK7230-55A,118
PSMN8R7-80PS,127
FQP6N40CF
STFI13NM60N
BUK763R8-80E,118
BSP315PH6327XTSA1
FCP7N60
DMN3018SFG-7
2SK3480-AZ
IXFK220N15P
BSP110,115
TPC6009-H(TE85L,FM
NP15P06SLG-E1-AY
IXFN20N120
NTD5867NLT4G
STB14NK50ZT4
DMP3099L-7
IRFR3708TRRPBF
FCP190N60
FDD86110
IPP076N12N3GXKSA1
STV240N75F3
BUK7Y4R8-60EX
AUIRFR4105
FDZ391P
SIR812DP-T1-GE3
HUF75545S3ST
ZVN4306ASTZ
FDPF18N50T
STD13NM60N
International Rectifier

PDF Datasheet 数据手册内容提取

PD - 94953 IRL2203NPbF HEXFETfi Power MOSFET (cid:1) Advanced Process Technology D (cid:1) Ultra Low On-Resistance VDSS = 30V (cid:1) Dynamic dv/dt Rating (cid:1) 175(cid:176)C Operating Temperature R = 7.0mΩ DS(on) (cid:1) Fast Switching G (cid:1) Fully Avalanche Rated I = 116A(cid:1) D (cid:1) Lead-Free S Description Advanced HEXFETfi Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute TO-220AB to its wide acceptance throughout the industry. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units I @ T = 25(cid:176)C Continuous Drain Current, V @ 10V 116(cid:1) D C GS I @ T = 100(cid:176)C Continuous Drain Current, V @ 10V 82 A D C GS I Pulsed Drain Current (cid:2) 400 DM P @T = 25(cid:176)C Power Dissipation 180 W D C Linear Derating Factor 1.2 W/(cid:176)C V Gate-to-Source Voltage – 16 V GS I Avalanche Current(cid:2) 60 A AR E Repetitive Avalanche Energy(cid:2) 18 mJ AR dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (cid:3) 5.0 V/ns T Operating Junction and -55 to + 175 J TSTG Storage Temperature Range (cid:176)C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbf(cid:149)in (1.1N(cid:149)m) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case (cid:150)(cid:150)(cid:150) 0.85 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:176)C/W RθJA Junction-to-Ambient (cid:150)(cid:150)(cid:150) 62 www.irf.com 1 (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:3)(cid:1)(cid:6)

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) Electrical Characteristics @ T = 25(cid:176)C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 30 (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) V VGS = 0V, ID = 250(cid:181)A ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient (cid:150)(cid:150)(cid:150) 0.029 (cid:150)(cid:150)(cid:150) V/(cid:176)C Reference to 25(cid:176)C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance (cid:150)(cid:150)(cid:150)(cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150)(cid:150)(cid:150)(cid:150) 71.00 mΩ VVGGSS == 41.05VV,, IIDD == 6408AA(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3) VGS(th) Gate Threshold Voltage 1.0 (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) V VDS = VGS, ID = 250(cid:181)A gfs Forward Transconductance 73 (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) S VDS = 25V, ID = 60A(cid:3) I Drain-to-Source Leakage Current (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 25 (cid:181)A VDS = 30V, VGS = 0V DSS (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 250 VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 125(cid:176)C (cid:11) Gate-to-Source Forward Leakage (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 100 nA VGS = 16V (cid:2)(cid:3)(cid:3) Gate-to-Source Reverse Leakage (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) -100 VGS = -16V Qg Total Gate Charge (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 60 ID = 60A Qgs Gate-to-Source Charge (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 14 nC VDS = 24V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 33 VGS = 4.5V, See Fig. 6 and 13 td(on) Turn-On Delay Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 11 (cid:150)(cid:150)(cid:150) VDD = 15V tr Rise Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 160 (cid:150)(cid:150)(cid:150) ID = 60A td(off) Turn-Off Delay Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 23 (cid:150)(cid:150)(cid:150) RG = 1.8Ω tf Fall Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 66 (cid:150)(cid:150)(cid:150) VGS = 4.5V, See Fig. 10 (cid:3) Between lead, D L Internal Drain Inductance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 4.5 (cid:150)(cid:150)(cid:150) D 6mm (0.25in.) (cid:12)(cid:13) from package G L Internal Source Inductance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 7.5 (cid:150)(cid:150)(cid:150) S and center of die contact S Ciss Input Capacitance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 3290 (cid:150)(cid:150)(cid:150) VGS = 0V Coss Output Capacitance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 1270 (cid:150)(cid:150)(cid:150) VDS = 25V Crss Reverse Transfer Capacitance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 170 (cid:150)(cid:150)(cid:150) pF (cid:131) = 1.0MHz, See Fig. 5 E Single Pulse Avalanche Energy(cid:4) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 1320(cid:4)290(cid:5) mJ I = 60A, L = 0.16mH AS AS Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 116(cid:1) MOSFET symbol D (Body Diode) showing the (cid:7) ISM P(Buolsdeyd D Siooduerc)(cid:2)e Current (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 400 pin-tne gjuranlc trieovne drsioede. G S VSD Diode Forward Voltage (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 1.2 V TJ = 25(cid:176)C, IS = 60A, VGS = 0V (cid:5) trr Reverse Recovery Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 56 84 ns TJ = 25(cid:176)C, IF = 60A Qrr Reverse Recovery Charge (cid:150)(cid:150)(cid:150) 110 170 nC di/dt = 100A/(cid:181)s (cid:5) ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:2)(cid:8)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:3)ISD ≤(cid:8)60A(cid:9)(cid:8)di/d(cid:10)(cid:8)≤(cid:8)110A/(cid:181)s, VDD(cid:1)≤(cid:8)V(BR)DSS, max. junction temperature. ( See fig. 11 ) TJ ≤ 175(cid:176)C (cid:4) Starting T = 25(cid:176)C, L = 0.16mH (cid:5) Pulse width ≤ 400(cid:181)s; duty cycle ≤ 2%. RG = 25Ω,J I AS = 60A, VGS=10V (See Figure 12) (cid:6) This is a typical value at device destruction and represents operation outside rated limits. (cid:7) This is a calculated value limited to TJ = 175(cid:176)C . (cid:1)(cid:2)Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. Package limitation current is 75A. 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) 1000 1000 VGS VGS TOP 15V TOP 15V 10V 10V A) 43..57VV A) 43..57VV nt ( 33..53VV nt ( 33..53VV e 3.0V e 3.0V Curr 100 BOTTOM2.7V Curr 100 BOTTOM2.7V e e c c ur ur o o S S 2.7V o- o- n-t n-t ai 10 2.7V ai 10 Dr Dr I , D I , D 20(cid:181)s PULSE WIDTH 20(cid:181)s PULSE WIDTH TJ = 25(cid:176)C TJ = 175(cid:176)C 1 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VD S , Drain-to-Source Voltage (V) V D S , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 2.5 ID=100A e c n A) a nt ( TJ = 25 (cid:176) C sist 2.0 e e urr n R Source C 100 TJ = 175 (cid:176) C Source Omalized) 1.5 n-to- n-to-(Nor 1.0 ai ai Dr Dr I , D V20 D (cid:181) Ss =P U15LVSE WIDTH R , DS(on) 0.5 VGS=10V 10 0.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 VG S , Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature ( (cid:176) C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) 6000 15 VGS=0V, f = 1MHz ID=60A Ciss =Cgs + Cgd , Cd s SHORTED 5000 CCrossss==CCgdds + Cgd e (V) 12 VVDDSS== 1254VV g nce (pF) 4000 Ciss ce Volta 9 acita 3000 Sour C, Cap 2000 Coss ate-to- 6 G 1000 V , GS 3 Crss FOR TEST CIRCUIT SEE FIGURE 1 3 0 0 1 10 100 0 20 40 60 80 V D S , Drain-to-Source Voltage (V) Q G , Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 1000 10000 A) OPERATION IN THIS AREA nt ( 100 LIMITED BY RDS(on) Curre TJ = 175 (cid:176) C An()t 1000 ain uerr Dr 10 C verse Souecr 100 100(cid:181)sec Re TJ = 25 (cid:176) C o- I , SD 1 Dnar-ti 10 1msec V G S = 0 V ,ID Tc = 25(cid:176)C 10msec 0.1 Tj = 175(cid:176)C 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 Single Pulse V ,Source-to-Drain Voltage (V) 1 SD 1 10 100 VDS , Drain-toSource Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) 120 (cid:15) (cid:4) (cid:14) LIMITED BY PACKAGE (cid:4)(cid:3) 100 (cid:14)(cid:2)(cid:3) (cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:17)(cid:19)(cid:17) (cid:15) nt (A) 80 (cid:2) +-(cid:14)(cid:4)(cid:4) e urr (cid:14)(cid:2)(cid:3) ain C 60 (cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:13)(cid:8)(cid:16)(cid:9)(cid:1)(cid:17)(cid:1)(cid:10)(cid:18)(cid:19)(cid:11)(cid:13)(cid:12)(cid:20)(cid:13)(cid:21)(cid:14)(cid:1)(cid:1)≤≤ 01. 1(cid:15) %(cid:8) Dr I , D 40 (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:1)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:5) 20 VDS 90% 0 25 50 75 100 125 150 175 T , Case Temperature ( (cid:176) C) C 10% Fig 9. Maximum Drain Current Vs. VGS Case Temperature td(on) tr td(off) tf (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:21)(cid:15)(cid:11)(cid:13) 1 ) D = 0.50 Z thJC ( 0.20 e s n o 0.10 p 0.1 s e al R 0.05 SINGLE PULSE PDM m 0.02 (THERMAL RESPONSE) t1 er 0.01 h t2 T Notes: 1. Duty factor D = t 1 / t2 2. Peak TJ=PDMx ZthJC+ TC 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) 600 15V J) ID m TOP 24A ( gy 500 42A VDS L DRIVER ner BOTTOM 60A E e 400 h RG D.U.T +- VDD anc 2V0GVS IAS A Aval 300 tp 0.01Ω e s (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:25)(cid:8)(cid:6)(cid:26)(cid:18)(cid:11)(cid:27)(cid:12)(cid:28)(cid:1)(cid:29)(cid:8)(cid:28)(cid:16)(cid:6)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:12)(cid:1)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:5) Pul 200 e gl n tp V(BR)DSS E , SiAS100 0 25 50 75 100 125 150 175 Starting T , Junction Temperature ( (cid:176) C) J (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:30)(cid:18)(cid:31)(cid:4)(cid:11)(cid:16)(cid:11)(cid:1) (cid:19)(cid:18)(cid:26)(cid:18)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:12)(cid:1)!(cid:8)(cid:12)(cid:15)(cid:9)" (cid:22)(cid:13)#(cid:1)$(cid:15)(cid:18)(cid:4)(cid:8)(cid:1)(cid:14)(cid:16)(cid:15)(cid:15)(cid:12)(cid:8)(cid:5) IAS (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:11)(cid:9)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:25)(cid:8)(cid:6)(cid:26)(cid:18)(cid:11)(cid:27)(cid:12)(cid:28)(cid:1)(cid:29)(cid:8)(cid:28)(cid:16)(cid:6)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:12)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:21)(cid:15)(cid:11)(cid:13) Current Regulator Same Type as D.U.T. 50KΩ 12V .2µF QG .3µF (cid:22) + (cid:1)(cid:2) D.U.T. -VDS Q Q GS GD VGS V G 3mA IG ID Charge Current Sampling Resistors (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:10)(cid:7)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:24)(cid:18)(cid:13)(cid:4)(cid:6)(cid:1)(cid:23)(cid:18)(cid:5)(cid:12)(cid:1)(cid:14)(cid:7)(cid:18)(cid:15)(cid:9)(cid:12)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:21)(cid:15)(cid:11) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:10)(cid:9)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:23)(cid:18)(cid:5)(cid:12)(cid:1)(cid:14)(cid:7)(cid:18)(cid:15)(cid:9)(cid:12)(cid:1)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:5) 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:8)(cid:12)(cid:2)(cid:13)(cid:14)(cid:5)(cid:9)(cid:12)(cid:15)(cid:9)(cid:16)(cid:5)(cid:17)(cid:2)(cid:18)(cid:16)(cid:5)(cid:19)(cid:7)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:7)(cid:16) + $"(cid:24)(cid:22)(cid:29)"(cid:10)(cid:8)%(cid:31)(cid:28)(cid:23)(cid:29)(cid:10)(cid:8)$(cid:23)(cid:12)#"(cid:20)(cid:26)(cid:24)(cid:31)(cid:10)"(cid:23)(cid:12)# (cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)% • (cid:8)%(cid:23)&(cid:8)’(cid:10)(cid:24)(cid:31)(cid:28)(cid:8)(cid:11)(cid:12)(cid:20)(cid:29)(cid:22)(cid:10)(cid:31)(cid:12)(cid:22)(cid:26) (cid:3) (cid:8)(cid:8) • ((cid:24)(cid:23)(cid:29)(cid:12)(cid:20)(cid:8))(cid:25)(cid:31)(cid:12)(cid:26) (cid:8)(cid:8) • %(cid:23)&(cid:8)%(cid:26)(cid:31)*(cid:31)+(cid:26)(cid:8)(cid:11)(cid:12)(cid:20)(cid:29)(cid:22)(cid:10)(cid:31)(cid:12)(cid:22)(cid:26) (cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)$(cid:29)(cid:24)(cid:24)(cid:26)(cid:12)(cid:10)(cid:8)(cid:19)(cid:24)(cid:31)(cid:12)#,(cid:23)(cid:24)-(cid:26)(cid:24) - + (cid:4) (cid:5) - + - (cid:2) (cid:15)(cid:2) • (cid:20)(cid:21)(cid:3)(cid:20)(cid:10)(cid:8)(cid:22)(cid:23)(cid:12)(cid:10)(cid:24)(cid:23)(cid:25)(cid:25)(cid:26)(cid:20)(cid:8)(cid:27)(cid:28)(cid:8)(cid:15)(cid:2) + (cid:14) •• (cid:11)(cid:16)(cid:3)(cid:17)(cid:4)(cid:18)(cid:8)(cid:22)(cid:17)(cid:19)(cid:23)(cid:17)(cid:12)(cid:8)(cid:10)!(cid:24)(cid:8)(cid:23)(cid:16)(cid:25)(cid:25)(cid:26)(cid:26)(cid:21)(cid:20)"(cid:22)(cid:8)(cid:27)(cid:26)(cid:28)(cid:8)(cid:18)(cid:8)(cid:16)(cid:12)(cid:29)(cid:20)(cid:10)(cid:26)(cid:28)(cid:24)(cid:8)(cid:8)(cid:30)(cid:19)(cid:31)(cid:26)(cid:22)#(cid:10)(cid:10)(cid:23)(cid:24)(cid:8) (cid:16) - (cid:14)(cid:4)(cid:4) (cid:2)(cid:3) %(cid:8)(cid:8)(cid:15)(cid:26)(cid:21)(cid:26)(cid:24)#(cid:26)(cid:8))(cid:23)(cid:25)(cid:31)(cid:24)"(cid:10)(cid:28)(cid:8)(cid:23),(cid:8)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:17)(cid:19)(cid:8),(cid:23)(cid:24)(cid:8))!$.(cid:31)(cid:12)(cid:12)(cid:26)(cid:25) Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4) V =10V GS D.U.T. I Waveform SD Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. V Waveform DS Diode Recovery dv/dt (cid:1)(cid:2)V(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3) DD Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent &(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)’ I Ripple ≤ 5% SD %%%(cid:8)(cid:14) (cid:8)/(cid:8)0(cid:17)(cid:1)(cid:14)(cid:8),(cid:23)(cid:24)(cid:8)%(cid:23)+"(cid:22)(cid:8)%(cid:26)(cid:21)(cid:26)(cid:25)(cid:8)(cid:31)(cid:12)(cid:20)(cid:8)1(cid:14)(cid:8)(cid:16)(cid:24)"(cid:21)(cid:26)(cid:8)(cid:16)(cid:26)(cid:21)"(cid:22)(cid:26)# (cid:2)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:13)(cid:8)(cid:4)For N-channel(cid:1)HEXFETfi power MOSFETs www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:8)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:14) Dimensions are shown in millimeters (inches) 10.54 (.415) 3.78 (.149) - B - 2.87 (.113) 10.29 (.405) 3.54 (.139) 4.69 (.185) 2.62 (.103) - A - 4.20 (.165) 1.32 (.052) 1.22 (.048) 6.47 (.255) 4 6.10 (.240) 15.24 (.600) 14.84 (.584) LEAD ASSIGNMENTS 1.15 (.045) LEAD ASSIGNMENTS MIN HE X F E 1T - GATE IGBTs, CoPACK 1 2 3 1- G A T 2E - DRAIN 1- GATE 2- D R A 3I N- SOURCE2- COLLECTOR 3- S O U 4R - CDERAIN 3- EMITTER 4- DRAIN 4- COLLECTOR 14.09 (.555) 13.47 (.530) 4.06 (.160) 3.55 (.140) 3X11..4105 ((..005455)) 3X0.3006.. 96 (39.0 ((1..00432) 77 )) M B A M 2.932X (.001..154556) ((..002128)) 2.64 (.104) 2.54 (.100) 2X NOTES: 1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 3 OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-220AB. 2 CONTROLLING DIMENSION : INCH 4 HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLUDE BURRS. (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:20)(cid:16)(cid:8)(cid:21)(cid:10)(cid:20)(cid:12)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:8)(cid:22)(cid:19)(cid:23)(cid:24)(cid:20)(cid:25)(cid:10)(cid:16)(cid:18)(cid:24)(cid:19) EXAMPLE: THIS IS AN IRF1010 LOT CODE 1789 ASSEMBLED ON WW 19, 1997 INTERNATIONAL PART NUMBER IN THE ASSEMBLY LINE "C" RECTIFIER LOGO Note: "P" in assembly line position indicates "Lead-Free" DATE CODE YEAR 7 = 1997 ASSEMBLY LOT CODE WEEK 19 LINE C Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the industrial market. Qualification Standards can be found on IR(cid:146)s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information. 01/04 8 www.irf.com

Note: For the most current drawings please refer to the IR website at: http://www.irf.com/package/

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRL2203NPBF