数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN057-200P,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN057-200P,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN057-200P,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN057-200P,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN057-200P,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PSMN057-200P,127 是一款功率 MOSFET,适用于需要高效能和高可靠性的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、电源适配器、电池充电器等,因其低导通电阻(Rds(on))和高效率,有助于减少能量损耗和发热。 2. 电机控制:在电动工具、家用电器和工业自动化中,用于控制电机的启停与速度调节,具备高耐压和良好热稳定性。 3. 负载开关:作为电子开关使用,控制高功率负载的通断,如LED照明、加热元件等。 4. 逆变器与变频器:用于太阳能逆变器或小型变频器中,实现直流电到交流电的高效转换。 5. 汽车电子:在车载电源系统、电机驱动和电池管理系统中应用,满足汽车环境对可靠性和耐温性的要求。 该器件采用TISON封装,体积小、散热好,适合高密度PCB布局,广泛应用于工业控制、消费电子和汽车领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 39A TO220ABMOSFET TRENCH-200 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 39 A |
Id-连续漏极电流 | 39 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN057-200P,127TrenchMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | PSMN057-200P,127 |
Pd-PowerDissipation | 250 W |
Pd-功率耗散 | 250 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 57 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 57 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 58 ns |
下降时间 | 78 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3750pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 96nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 57 毫欧 @ 17A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 568-6641 |
典型关闭延迟时间 | 105 ns |
功率-最大值 | 250W |
包装 | 管件 |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 39A (Tmb) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | PSMN057-200P |