ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFH9310TRPBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号： IRFH9310TRPBF
  • 制造商： International Rectifier
  • 库位|库存： xxxx|xxxx
  • 要求：
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRFH9310TRPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH9310TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH9310TRPBF价格参考。International RectifierIRFH9310TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6)。您可以下载IRFH9310TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH9310TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品
描述

MOSFET P-CH 30V 21A PQFNMOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC
产品分类

FET - 单分离式半导体
FET功能

逻辑电平门
FET类型

MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流

- 21 A
品牌

International Rectifier
产品手册

点击此处下载产品Datasheet
产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH9310TRPBFHEXFET®
数据手册

点击此处下载产品Datasheet
产品型号

IRFH9310TRPBF
PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation

3.1 W
Pd-功率耗散

3.1 W
Qg-GateCharge

58 nC
Qg-栅极电荷

11 nC
RdsOn-漏源导通电阻

4.6 mOhms
Vds-漏源极击穿电压

- 30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V
Vgs-栅源极击穿电压

20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)

5250pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

58nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）

4.6 毫欧 @ 21A，10V
产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品种类

MOSFET
供应商器件封装

PQFN（5x6）
其它名称

IRFH9310TRPBFDKR
功率-最大值

3.1W
功率耗散

3.1 W
包装

Digi-Reel®
商标

International Rectifier
安装类型

表面贴装
导通电阻

7.1 mOhms
封装

Reel
封装/外壳

8-VDFN
封装/箱体

PQFN-8
工厂包装数量

4000
晶体管极性

P-Channel
栅极电荷Qg

58 nC
标准包装

1
汲极/源极击穿电压

- 30 V
漏极连续电流

- 40 A
漏源极电压(Vdss)

30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）

21A （Ta）， 40A （Tc）
闸/源击穿电压

20 V
推荐商品

型号：NTD32N06L-001

品牌：ON Semiconductor

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：STD20NF10T4

品牌：STMicroelectronics

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IPT007N06NATMA1

品牌：Infineon Technologies

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：FDN361AN

品牌：ON Semiconductor

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：STP60NE06-16

品牌：STMicroelectronics

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：NTLUS3A90PZTBG

品牌：ON Semiconductor

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：SI7446BDP-T1-GE3

品牌：Vishay Siliconix

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：NTD3055L170-001

品牌：ON Semiconductor

产品名称：分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
最新资讯
IRFH9310TRPBF 相关产品

FDPF5N50NZF

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系销售

IXFH66N20Q

品牌：IXYS

价格：

联系销售

STB18N65M5

品牌：STMicroelectronics

价格：￥22.64-￥45.08

联系销售

SI3460DDV-T1-GE3

品牌：Vishay Siliconix

价格：

联系销售

IRLR8103VTRRPBF

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

IRFR9024TR

品牌：Vishay Siliconix

价格：￥7.98-￥22.77

联系销售

SUD19N20-90-E3

品牌：Vishay Siliconix

价格：

联系销售

CPH3351-TL-H

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系销售
猜你喜欢 最新产品推荐 其他制造商
IRFR6215TRR
HUFA76423P3
BSP299 E6327
SI2323DS-T1-GE3
IXFB44N100Q3
BUK9Y27-40B,115
IRF8301MTRPBF
IRLR024NTRL
PSMN9R0-25MLC,115
APT24F50B
ZXMP10A17E6TA
IRFI4321PBF
IRF6635TRPBF
NTD40N03RT4G
DKI03038
IRFP4468PBF
IRF6725MTRPBF
FDZ391P
FCPF400N60
IXTA130N10T7
FQI10N20CTU
BSC060N10NS3GATMA1
PSMN2R6-60PSQ
DMN3010LFG-7
BSZ123N08NS3GATMA1
SI1077X-T1-GE3
IRF710S
RSH100N03TB1
NVD5484NLT4G
ZVP4105A
IRFIBE20GPBF
SIRA04DP-T1-GE3
IRFL4315
IRL2203NSTRLPBF
IRF7204
IXTH10P50P
IRF7450
IRLD014PBF
BSS138N E8004
IRFU9020
IRF7822TRPBF
IRLMS1902TRPBF
SI7409ADN-T1-E3
SPB20N60S5ATMA1
SI7423DN-T1-E3
FQD2P40TF_F080
NTMS4801NR2G
FQP6N90C
STP3N62K3
BUK9240-100A,118
International Rectifier

PDF Datasheet 数据手册内容提取

(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) HEXFET(cid:1)(cid:1)Power MOSFET V -30 V DS R 6 mm (cid:2) DS(on) max 4.6 mΩ (cid:2) (@V = 10V) (cid:1) GS (cid:2) Qg (typical) 110 nC mm (cid:1)(cid:1) (cid:3) RG (typical) 2.8 Ω 5 (cid:1) ID -21 A PQFN (@T = 25°C) 5mm x 6mm A Applications • (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:14)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:13)(cid:3)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:5)(cid:1)(cid:19)(cid:18)(cid:16)(cid:7)(cid:20)(cid:18)(cid:18)(cid:21)(cid:1)(cid:22)(cid:2)(cid:1)(cid:23)(cid:4)(cid:16)(cid:16)(cid:7)(cid:5)(cid:24)(cid:1)(cid:25)(cid:26)(cid:26)(cid:27)(cid:11)(cid:13)(cid:4)(cid:16)(cid:11)(cid:18)(cid:8) Features and Benefits Features Resulting Benefits Low R (≤ 4.6mΩ) Lower Conduction Losses DSon results in Industry-Standard PQFN Package Multi-Vendor Compatibility ⇒ RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen Environmentally Friendlier Orderable part number Package Type Standard Pack Note Form Quantity IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm Tape and Reel 4000 Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V Drain-to-Source Voltage -30 DS V V Gate-to-Source Voltage ± 20 GS I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ -10V -21 D A GS I @ T = 70°C Continuous Drain Current, V @ -10V -17 D A GS I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ -10V (Silicon Limited) -107 D C GS A I @ T = 70°C Continuous Drain Current, V @ -10V (Silicon Limited) - 86 D C GS I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ -10V (Package Limited) -40 D C GS I Pulsed Drain Current (cid:0) -170 DM P @T = 25°C Power Dissipation (cid:1) 3.1 D A W P @ T = 70°C Power Dissipation (cid:1) 2.0 D A Linear Derating Factor 0.025 W/°C T Operating Junction and -55 to + 150 J °C T Storage Temperature Range STG Notes(cid:1)(cid:1) through (cid:1) are on page 2 (cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:1)(cid:2)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:3)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:3)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:3)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:31)(cid:23) (cid:23)(cid:26)(cid:17)(cid:3)(cid:12)!"(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)

(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BVDSS Drain-to-Source Breakdown Voltage -30 ––– ––– V VGS = 0V, ID = -250µA ∆ΒVDSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.020 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = -1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 3.7 4.6 mΩ VGS = -10V, ID = -21A (cid:6) ––– 5.7 7.1 VGS = -4.5V, ID = -17A (cid:6) V Gate Threshold Voltage -1.3 -1.9 -2.4 V GS(th) V = V , I = -100µA DS GS D ∆VGS(th) Gate Threshold Voltage Coefficient ––– -5.8 ––– mV/°C IDSS Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– -1.0 µA VDS = -24V, VGS = 0V ––– ––– -150 VDS = -24V, VGS = 0V, TJ = 125°C IGSS Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– -100 nA VGS = -20V Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– 100 VGS = 20V gfs Forward Transconductance 39 ––– ––– S VDS = -10V, ID = -17A Q Total Gate Charge (cid:0) ––– 58 ––– nC V = -15V,V = -4.5V,I = - 17A g DS GS D Qg Total Gate Charge (cid:0) ––– 110 165 VGS = -10V Qgs Gate-to-Source Charge (cid:0) ––– 17 ––– nC VDS = -15V Qgd Gate-to-Drain Charge (cid:0) ––– 28 ––– ID = -17A RG Gate Resistance (cid:0) ––– 2.8 ––– Ω td(on) Turn-On Delay Time ––– 25 ––– VDD = -15V, VGS = -4.5V (cid:6) tr Rise Time ––– 47 ––– ns ID = -1.0A td(off) Turn-Off Delay Time ––– 65 ––– RG = 1.8Ω tf Fall Time ––– 70 ––– See Figs. 19a & 19b Ciss Input Capacitance ––– 5250 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 1300 ––– pF VDS = -15V C Reverse Transfer Capacitance ––– 880 ––– ƒ = 1.0MHz rss Avalanche Characteristics Parameter Typ. Max. Units E Single Pulse Avalanche Energy (cid:1) ––– 170 mJ AS IAR Avalanche Current (cid:2) ––– -17 A Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions I Continuous Source Current MOSFET symbol S ––– ––– -3.1 D (Body Diode) showing the A I Pulsed Source Current integral reverse G SM ––– ––– -170 (Body Diode)(cid:3)(cid:2) p-n junction diode. S VSD Diode Forward Voltage ––– ––– -1.2 V TJ = 25°C, IS = -3.1A, VGS = 0V (cid:6) trr Reverse Recovery Time ––– 42 63 ns TJ = 25°C, IF = -3.1A, VDD = -24V Qrr Reverse Recovery Charge ––– 42 63 nC di/dt = 100/µs (cid:6) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case (cid:4) ––– 1.6 RθJA Junction-to-Ambient (cid:5) ––– 40 °C/W RθJA Junction-to-Ambient (t<10s) (cid:5) ––– 35 (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9) (cid:2)(cid:1)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:3) (cid:1)Starting TJ = 25°C, L = 1.1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A. (cid:4) Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%. (cid:5) When mounted on 1 inch square copper board. (cid:6) R is measured at T of approximately 90°C. θ J (cid:1) For DESIGN AID ONLY, not subject to production testing. (cid:12)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:1)(cid:2)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:3)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:3)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:3)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:31)(cid:23) (cid:23)(cid:26)(cid:17)(cid:3)(cid:12)!"(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) 1000 1000 VGS VGS TOP -10V TOP -10V -5.0V -5.0V An() t 100 ---433...553VVV An() t ---433...553VVV e -3.1V e -3.1V Curr BOTTOM --22..97VV Curr100 BOTTOM --22..97VV e e c c ur 10 ur o o S S o- o- n-t n-t 10 ai ai Dr 1 Dr -2.7V , D 2.7V , D -I ≤60µs PULSE WIDTH -I ≤60µs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 150°C 0.1 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 -VDS, Drain-to-Source Voltage (V) -VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 1.6 ec ID = -21A an VGS = -10V A() ssti 1.4 n t 100 Re uerr On Couecr 10 Souecr edaz)li1.2 DSnoa-r--tI, iD 1 TJ = 150°C V≤6D0STµ Js= = P- 1U255LV°SCE WIDTH Danor--t, iRDSon() mNo(r 01..80 0.1 0.6 1 2 3 4 5 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160 -VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature 100000 12.0 VGS = 0V, f = 1 MHZ I = -17A Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED D Crss = Cgd V) 10.0 Coss = Cds + Cgd (ge VDS= -24V Fep() 10000 Ciss Vaeot l 8.0 VVDDSS= = - 1-65.V0V c c ancti Coss Sour 6.0 Capa Crss o-e-t C, 1000 Gat 4.0 , S G V 2.0 - 100 0.0 1 10 100 0 25 50 75 100 125 -VDS, Drain-to-Source Voltage (V) QG Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage Fig 6. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage #(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:1)(cid:2)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:3)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:3)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:3)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:31)(cid:23) (cid:23)(cid:26)(cid:17)(cid:3)(cid:12)!"(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)

(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) 1000 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R (on) DS A) A) n( t n(t 100 100µsec e e urr 100 urr 1msec C T = 150°C C n J e Dari oucr 10 eevsr 10 TJ = 25°C Sno--t DC 10msec Re, DS Dar ,iD 1 TA = 25°C -I -I Tj = 150°C VGS = 0V Single Pulse 1.0 0.1 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 0 1 10 100 -VSD, Source-to-Drain Voltage (V) -VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage Fig 8. Maximum Safe Operating Area 25 2.2 V) 20 e( 2.0 g a A) otl n(t Vd 1.8 e 15 ol urr hs C e 1.6 I = -100µA n hr D Dari 10 aett -I,D 5 G, Sh()t 1.4 G 1.2 V - 0 1.0 25 50 75 100 125 150 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 TA , Ambient Temperature (°C) TJ , Temperature ( °C ) Fig 9. Maximum Drain Current vs. Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature Ambient Temperature 100 D = 0.50 W C/ 10 0.20 ° ) A 0.10 J 0.05 h Z t 1 0.02 e( 0.01 s n o p 0.1 s e R a l m er 0.01 Notes: h T SINGLE PULSE 1. Duty Factor D = t1/t2 ( THERMAL RESPONSE ) 2. Peak Tj = P dm x Zthja + TA 0.001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (cid:14)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:1)(cid:2)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:3)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:3)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:3)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:31)(cid:23) (cid:23)(cid:26)(cid:17)(cid:3)(cid:12)!"(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) )Ω 12 )Ω 10 m ID = -21A m e( e( anc 10 anc 8 ssti ssti Vgs = -4.5V Re 8 Re On On 6 e TJ = 125°C e ucr 6 ucr o o Sno--t 4 Sno--t 4 Vgs = -10V ariD TJ = 25°C Dari ,n) 2 n), 2 o o S( (S D D R 0 R 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 0 20 40 60 80 100 120 -V Gate -to -Source Voltage (V) -ID, Drain Current (A) GS, Fig 12. On-Resistance vs. Gate Voltage Fig 13. Typical On-Resistance vs. Drain Current 800 50000 mJ) ID y( TOP -2.0A Enegr 600 BOTTOM--31.71AA 40000 e h nc W) 30000 a avl 400 er( A w es Po 20000 ul P e gl 200 n 10000 Si , S A E 0 0 1E-8 1E-7 1E-6 1E-5 1E-4 1E-3 1E-2 1E-1 25 50 75 100 125 150 Time (sec) Starting T , Junction Temperature (°C) J Fig 14. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current Fig 15(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)Typical Power vs. Time Driver Gate Drive (cid:1)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:2) Period D = P.W. + P.W. Period (cid:28) (cid:4) (cid:12)(cid:14)(cid:10)(cid:7)(cid:6)(cid:14)(cid:8)(cid:11)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:9)(cid:6)(cid:8)(cid:11)(cid:12)(cid:9)(cid:4)(cid:18)(cid:14)(cid:5)(cid:13)(cid:10)(cid:16)(cid:8)(cid:14)(cid:9)(cid:4)(cid:18) VGS=10V • (cid:11)(cid:15)(cid:9)(cid:19)(cid:11)(cid:2)(cid:8)(cid:10)(cid:16)(cid:17)(cid:11)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:16)(cid:4)(cid:7)(cid:13) (cid:11)(cid:11) • (cid:1)(cid:10)(cid:9)(cid:6)(cid:4)(cid:5)(cid:11)(cid:20)(cid:21)(cid:16)(cid:4)(cid:13) - (cid:11)(cid:11) • (cid:15)(cid:9)(cid:19)(cid:11)(cid:15)(cid:13)(cid:16)(cid:22)(cid:16)(cid:23)(cid:13)(cid:11)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:16)(cid:4)(cid:7)(cid:13) (cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:10)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:8)(cid:11)(cid:24)(cid:10)(cid:16)(cid:4)(cid:18)(cid:25)(cid:9)(cid:10)(cid:26)(cid:13)(cid:10) D.U.T. ISDWaveform + (cid:3) Reverse (cid:5) Recovery Body Diode Forward - + Current Current - di/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:2) dv/dt VDD (cid:23) (cid:2)(cid:1) • (cid:5)(cid:14)(cid:27)(cid:5)(cid:8)(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:4)(cid:8)(cid:10)(cid:9)(cid:21)(cid:21)(cid:13)(cid:5)(cid:11)(cid:28)(cid:17)(cid:11)(cid:29)(cid:1) (cid:30)(cid:30) Re-Applied • (cid:30)(cid:10)(cid:14)(cid:31)(cid:13)(cid:10)(cid:11)(cid:18)(cid:16)(cid:26)(cid:13)(cid:11)(cid:8)(cid:17) (cid:13)(cid:11)(cid:16)(cid:18)(cid:11)(cid:30)!"!(cid:24)! + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:3)(cid:2)(cid:3)(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:4)(cid:8)(cid:10)(cid:9)(cid:21)(cid:21)(cid:13)(cid:5)(cid:11)(cid:28)(cid:17)(cid:11)(cid:30)(cid:6)(cid:8)(cid:17)(cid:11)#(cid:16)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)$(cid:30)$ - (cid:3)I(cid:4)n(cid:5)d(cid:6)u(cid:7)ct(cid:8)o(cid:9)r(cid:10) (cid:11)C(cid:12)u(cid:6)r(cid:10)e(cid:10)n(cid:13)t(cid:4)(cid:8) • (cid:30)!"!(cid:24)!(cid:11)%(cid:11)(cid:30)(cid:13)(cid:31)(cid:14)(cid:7)(cid:13)(cid:11)"(cid:4)(cid:5)(cid:13)(cid:10)(cid:11)(cid:24)(cid:13)(cid:18)(cid:8) Ripple ≤ 5% ISD (cid:28)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:3)(cid:1)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:5)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:1)(cid:8)(cid:14)(cid:1)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:16)(cid:18)(cid:1)(cid:14)(cid:8)(cid:5)(cid:1)(cid:7)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:10)(cid:22)(cid:22)(cid:3)(cid:9) (cid:28)(cid:1)(cid:23)(cid:1)(cid:2)(cid:1)(cid:24)(cid:1)(cid:25)(cid:23)(cid:1)(cid:14)(cid:8)(cid:5)(cid:1)(cid:26)(cid:8)(cid:27)(cid:11)(cid:28)(cid:1)(cid:26)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:9)(cid:1)(cid:15)(cid:3)(cid:4)(cid:11)(cid:28)(cid:3)(cid:6) Fig 16. (cid:10)(cid:11)(cid:18)(cid:9)(cid:7)(cid:1)(cid:29)(cid:7)(cid:30)(cid:7)(cid:5)(cid:12)(cid:7)(cid:1)(cid:29)(cid:7)(cid:13)(cid:18)(cid:30)(cid:7)(cid:5)(cid:24)(cid:1)(cid:31)(cid:7)(cid:12)(cid:16)(cid:1)(cid:2)(cid:11)(cid:5)(cid:13) (cid:11)(cid:16)(cid:1)for P-Channel HEXFET(cid:1)(cid:1)Power MOSFETs $(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:1)(cid:2)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:3)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:3)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:3)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:31)(cid:23) (cid:23)(cid:26)(cid:17)(cid:3)(cid:12)!"(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)

(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Id Vds Vgs L VCC DUT 0 Vgs(th) 210KK SS Qgodr Qgd Qgs2 Qgs1 Fig 17a. Gate Charge Test Circuit Fig 17b. Gate Charge Waveform L VDS IAS RG D.U.T V DD IAS A (cid:1)-(cid:2)2(cid:1)0(cid:2)V DRIVER tp 0.01Ω tp V(BR)DSS 15V Fig 18a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 18b. Unclamped Inductive Waveforms (cid:2) (cid:30) (cid:23) (cid:30)(cid:2) td(on) tr td(off) tf (cid:23)(cid:1)(cid:2) VGS (cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:16)(cid:18)(cid:16) (cid:2) 10% (cid:1) - (cid:23) (cid:30)(cid:30) + (cid:19)(cid:23) (cid:1)(cid:2) 90% (cid:20)(cid:6)(cid:21)(cid:18)(cid:13)(cid:11)&(cid:14)(cid:5)(cid:8)’(cid:11)≤ 1 ((cid:18) (cid:30)(cid:6)(cid:8)(cid:17)(cid:11)#(cid:16)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)≤ 0.1 % VDS Fig 19a. Switching Time Test Circuit Fig 19b. Switching Time Waveforms !(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:1)(cid:2)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:3)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:3)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:3)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:31)(cid:23) (cid:23)(cid:26)(cid:17)(cid:3)(cid:12)!"(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) PQFN Package Details PQFN Part Marking INTERNATIONAL RECTIFIER LOGO 6 DATE CODE XXXX PART NUMBER ASSEMBLY SITE CODE XYWWX MARKING CODE (Per SCOP 200-002) (Per Marking Spec.) XXXXX PIN 1 IDENTIFIER LOT CODE (Eng Mode - Min. last 4 digits of EATI #) (Prod Mode - 4 digits SPN code) TOP MARKING (LASER) Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ %(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:1)(cid:2)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:3)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:3)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:3)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:31)(cid:23) (cid:23)(cid:26)(cid:17)(cid:3)(cid:12)!"(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)

(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) PQFN Tape and Reel Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ &(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:1)(cid:2)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:3)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:3)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:3)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:31)(cid:23) (cid:23)(cid:26)(cid:17)(cid:3)(cid:12)!"(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Qualification Information† Consumer †† Qualification level (per JEDEC JESD47F††† guidelines) MSL2 Moisture Sensitivity Level PQFN 5mm x 6mm (per JEDEC J-STD-020D†††) RoHS Compliant Yes (cid:2) Qualification standards can be found at International Rectifier’s web site http://www.irf.com/product-info/reliability (cid:2)(cid:2) Higher qualification ratings may be available should the user have such requirements. Please contact your International Rectifier sales representative for further information: http://www.irf.com/whoto-call/salesrep/ (cid:2)(cid:2)(cid:2) Applicable version of JEDEC standard at the time of product release. (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:1)(cid:1) Higher MSL ratings may be available for the specific package types listed here. Please contact your International Rectifier sales representative for further information: http://www.irf.com/whoto-call/salesrep/ Revision History Date Comments • Updated datasheet as per new IR Corporate Template 8/19/2014 • Updated data sheet with latest PQFN Tape and Reel Diagram. IR WORLD HEADQUARTERS: 101 N. Sepulveda Blvd., El Segundo, California 90245, USA To contact International Rectifier, please visit http://www.irf.com/whoto-call/ ’(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:1)(cid:2)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:3)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:3)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:3)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:31)(cid:23) (cid:23)(cid:26)(cid:17)(cid:3)(cid:12)!"(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRFH9310TRPBF