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Datasheet下载- 型号： IRL2203NSTRLPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL2203NSTRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL2203NSTRLPBF价格参考。International RectifierIRL2203NSTRLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRL2203NSTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRL2203NSTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的晶体管型号IRL2203NSTRLPBF属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），并且是单通道设计。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源（SMPS）：IRL2203NSTRLPBF常用于开关电源中的功率转换电路，例如降压、升压或反激式变换器。 - DC-DC转换器：在高效DC-DC转换器中，该MOSFET可用作同步整流器或主开关，以提高效率并降低功耗。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机（BLDC）控制：该MOSFET适用于低电压BLDC电机驱动器，例如无人机、电动工具和家用电器。 - 步进电机驱动：可用于步进电机的H桥驱动电路，提供高效的电流切换。 3. 负载开关 - 在消费电子设备中，该MOSFET可以用作负载开关，用于动态管理电池供电设备的功耗，例如智能手机、平板电脑和便携式设备。 4. 保护电路 - 过流保护：由于其低导通电阻（Rds(on)），该MOSFET适合用于过流保护电路，能够快速响应异常电流。 - 短路保护：在某些应用中，可以结合驱动器IC使用，实现短路保护功能。 5. 汽车电子 - 车身控制模块（BCM）：用于控制车窗升降、座椅调节等低电压负载。 - LED驱动：在汽车照明系统中，该MOSFET可作为开关元件，用于驱动高亮度LED灯。 6. 工业自动化 - 传感器接口：在工业控制系统中，该MOSFET可用于驱动传感器或执行器。 - 继电器替代：由于其快速开关特性和低功耗，可以替代传统机械继电器。 7. 音频放大器 - 在D类音频放大器中，该MOSFET可用作输出级开关器件，提供高效的声音放大。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：降低功耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用，减少开关损耗。 - 优异的热性能：能够在紧凑的设计中保持稳定运行。 综上所述，IRL2203NSTRLPBF广泛应用于需要高效功率转换、低功耗和快速开关的场景，尤其适合消费电子、汽车电子和工业自动化领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 116A D2PAKMOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 116 A |
| Id-连续漏极电流 | 116 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL2203NSTRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRL2203NSTRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 170 W |
| Pd-功率耗散 | 170 W |
| Qg-GateCharge | 40 nC |
| Qg-栅极电荷 | 40 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3290pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 60A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRL2203NSTRLPBFDKR |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 功率耗散 | 170 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 10 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 40 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 116 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 116A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irl2203ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irl2203ns.spi |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |
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