Datasheet下载- 型号： SI7446BDP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7446BDP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7446BDP-T1-GE3价格参考。VishaySI7446BDP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7446BDP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7446BDP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7446BDP-T1-GE3 是一款高性能P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm × 1.2mm小型DFN封装，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件主要应用于电池供电系统中的电源管理与负载开关场景，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端。其低导通电阻（RDS(on)）特性有助于降低功耗，提高能效，特别适合用于电池保护电路、DC-DC转换器的同步整流或反向电流阻断功能。此外，SI7446BDP-T1-GE3具备良好的热稳定性和可靠性，支持高密度PCB布局，广泛用于需要高效、小型化设计的消费类电子产品中。其无铅、符合RoHS标准的环保特性也满足现代电子产品对环境友好材料的要求。总体而言，该MOSFET适用于对尺寸、功耗和可靠性要求较高的低压、大电流开关应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7446BDP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3076pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 19A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 功率-最大值 | 1.9W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta） |
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