ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > SI7423DN-T1-E3
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SI7423DN-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7423DN-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7423DN-T1-E3价格参考¥询价-¥询价。VishaySI7423DN-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 7.4A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7423DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7423DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7423DN-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件适用于便携式电子产品、电池供电设备以及需要高效能和低功耗的系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:在DC-DC转换器和电源管理系统中作为开关元件,实现高效的能量传输。 2. 负载开关:用于控制电源到负载的通断,如在笔记本电脑、平板电脑和智能手机中控制外设电源。 3. 马达驱动与继电器替代:在小型电机或电磁阀控制电路中作为固态开关使用。 4. 电池保护电路:在电池充放电管理系统中作为高侧或低侧开关,提供过流与短路保护功能。 5. 工业控制与自动化设备:用于PLC模块、传感器电源控制等场合。 该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、小封装尺寸(如SOP/DFN),适合高密度PCB布局,且具备良好的热稳定性,适合中低功率应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 7.4A 1212-8MOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.4 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72582 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7423DN-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7423DN-T1-E3SI7423DN-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18 毫欧 @ 11.7A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7423DN-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 74 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.4A (Ta) |
| 系列 | SI74xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7423DN-E3 |