Datasheet下载- 型号： NTB30N06T4
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB30N06T4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB30N06T4价格参考。ON SemiconductorNTB30N06T4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB30N06T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB30N06T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB30N06T4 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高效率和良好热性能，适用于需要高效能和高可靠性的场合。 典型应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：用于AC-DC转换电路中，提高转换效率，减小体积。 2. DC-DC转换器：在笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块中作为开关元件。 3. 电机驱动：用于电动工具、电动车及工业自动化设备中的电机控制电路。 4. 负载开关：作为高效能开关控制电源分配，如在服务器和存储设备中。 5. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制，提升系统安全性和效率。 6. 照明系统：如LED驱动电源中实现高效恒流控制。 该器件采用TOLL封装，具备优良的散热性能，适合高电流和高功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB30N06T4 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 42 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NTB30N06T4OS |
| 功率-最大值 | 88.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 27A （Ta） |
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