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FQP3P20产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP3P20由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP3P20价格参考。Fairchild SemiconductorFQP3P20封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 200V 2.8A(Tc) 52W(Tc) TO-220AB。您可以下载FQP3P20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP3P20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP3P20 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):FQP3P20 可用于开关电源中的开关元件,通过高频开关实现高效的电压转换。 - 直流-直流转换器:在降压或升压电路中,作为主开关器件控制电流的通断。 - 线性稳压器:用作电子负载或调节输出电压的开关。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于低功率直流电机的启动、停止和速度调节。 - H 桥电路:在 H 桥驱动电路中,与其他 MOSFET 配合实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 负载开关 - 电池管理系统 (BMS):用于电池保护电路中,控制电池与负载之间的连接。 - 电子设备的电源开关:在便携式设备中,作为负载开关实现快速的电源开启和关闭。 4. 信号切换 - 音频信号切换:在音频设备中,用于切换不同的输入信号源。 - 传感器信号切换:在工业自动化系统中,用于选择不同的传感器信号输入。 5. 保护电路 - 过流保护:利用其低导通电阻特性,在电流超过设定值时切断电路。 - 短路保护:在发生短路时迅速关断电路,保护其他元器件。 6. 照明控制 - LED 驱动:用于驱动中小功率 LED 灯,调节亮度或实现 PWM 调光。 - 汽车照明:在汽车尾灯、转向灯等电路中,作为开关元件。 7. 通信设备 - 数据通信接口:在 RS-232 或 USB 接口电路中,用于信号隔离或电平转换。 - 射频 (RF) 开关:在低功率射频应用中,用作信号路径的开关。 总结 FQP3P20 的典型应用场景包括电源管理、电机驱动、负载开关、信号切换、保护电路、照明控制和通信设备等领域。其低导通电阻 (Rds(on)) 和较高的漏极电流能力使其适合于需要高效开关和低功耗的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220MOSFET 200V P-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.8 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP3P20QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQP3P20 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 52 W |
| Pd-功率耗散 | 52 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.7 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.7 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.7 欧姆 @ 1.4A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 1.23 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.8A (Tc) |
| 系列 | FQP3P20 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |