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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTP200N055T2由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTP200N055T2价格参考。IXYSIXTP200N055T2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTP200N055T2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTP200N055T2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTP200N055T2是一款晶体管,具体分类为FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),且属于单通道设计。该型号的主要应用场景包括: 1. 工业电源管理: IXTP200N055T2适用于各种工业电源系统,例如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)和逆变器。其高电压耐受能力(550V击穿电压)和低导通电阻(典型值为0.18Ω)使其在高效率、高功率密度的电源应用中表现出色。 2. 电机驱动: 该器件可用于工业电机驱动和控制电路中,支持高效切换和精确电流控制。其快速开关特性和低损耗特性非常适合用于三相无刷直流电机(BLDC)和其他高性能电机驱动场景。 3. 新能源领域: 在太阳能逆变器、风能发电系统等新能源设备中,IXTP200N055T2可用于功率转换和能量管理,确保高效的电能传输和稳定的系统运行。 4. 电动车辆(EV/HEV): 该MOSFET适合应用于电动汽车或混合动力汽车中的辅助系统,例如车载充电器(OBC)、DC-DC转换器和电池管理系统(BMS)。其坚固的设计和可靠性能够满足严苛的车载环境要求。 5. 不间断电源(UPS): 在UPS系统中,IXTP200N055T2可以作为关键的功率开关元件,提供快速响应和高效的能量转换,确保在主电源中断时设备的持续运行。 6. 焊接设备: 焊接机需要高功率输出和快速动态响应,IXTP200N055T2凭借其优异的性能参数,可胜任焊接过程中的电流控制和能量调节任务。 7. 家电与消费电子: 高端家电(如空调、冰箱、洗衣机)以及部分消费电子产品可能需要大功率MOSFET来实现高效能量转换和精确控制,IXTP200N055T2是理想选择之一。 总结来说,IXTP200N055T2以其高电压、低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于需要高效功率转换和控制的各种工业、能源、交通及消费领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 55V 200A TO-220MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 200 A |
Id-连续漏极电流 | 200 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTP200N055T2TrenchT2™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXTP200N055T2 |
Pd-PowerDissipation | 360 W |
Pd-功率耗散 | 360 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.2 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.2 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 22 ns |
下降时间 | 27 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6800pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 109nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.2 毫欧 @ 50A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
典型关闭延迟时间 | 49 ns |
功率-最大值 | 360W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.300 g |
商标 | IXYS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 200A (Tc) |
系列 | IXTP200N055 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |