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产品简介:
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STMicroelectronics的STB50NE10T4是一款N沟道增强型MOSFET,具有以下主要参数:耐压100V、持续漏极电流高达50A(25°C时)、低导通电阻(典型值为8.5mΩ),以及出色的开关性能。基于这些特性,该型号适用于多种电力电子应用场景,具体包括: 1. 电源管理: STB50NE10T4常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中,作为主开关器件或同步整流元件。其低导通电阻和快速开关能力可提高效率并降低功耗。 2. 电机驱动: 在工业自动化和消费电子领域,这款MOSFET可用于无刷直流电机(BLDC)或其他电机的驱动电路中。它能够承受高电流负载,并支持高效PWM控制。 3. 电池管理系统(BMS): 由于其高电流承载能力和低损耗特性,STB50NE10T4适合用作电池组中的充放电保护开关或负载开关。 4. 逆变器与变频器: 在太阳能逆变器或家用电器(如空调、冰箱)的变频控制器中,该器件可以实现高效的功率转换和调节。 5. 汽车电子: 虽然不是车规级产品,但在非关键车载应用中(例如电动座椅、电动车窗等),STB50NE10T4也能提供可靠的性能表现。 6. 负载切换与保护: 它可以用作各种设备中的负载切换开关,同时通过内置的雪崩击穿保护功能确保在异常情况下仍能安全运行。 总之,STB50NE10T4凭借其高性能指标和可靠性,广泛应用于需要高效功率处理和精确控制的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STB50NE10T4 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | STripFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 166nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 27 毫欧 @ 25A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 180W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |