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  • 型号: STB50NE10T4
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STB50NE10T4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB50NE10T4价格参考。STMicroelectronicsSTB50NE10T4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STB50NE10T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB50NE10T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STB50NE10T4是一款N沟道增强型MOSFET,具有以下主要参数:耐压100V、持续漏极电流高达50A(25°C时)、低导通电阻(典型值为8.5mΩ),以及出色的开关性能。基于这些特性,该型号适用于多种电力电子应用场景,具体包括:

1. 电源管理:  
   STB50NE10T4常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中,作为主开关器件或同步整流元件。其低导通电阻和快速开关能力可提高效率并降低功耗。

2. 电机驱动:  
   在工业自动化和消费电子领域,这款MOSFET可用于无刷直流电机(BLDC)或其他电机的驱动电路中。它能够承受高电流负载,并支持高效PWM控制。

3. 电池管理系统(BMS):  
   由于其高电流承载能力和低损耗特性,STB50NE10T4适合用作电池组中的充放电保护开关或负载开关。

4. 逆变器与变频器:  
   在太阳能逆变器或家用电器(如空调、冰箱)的变频控制器中,该器件可以实现高效的功率转换和调节。

5. 汽车电子:  
   虽然不是车规级产品,但在非关键车载应用中(例如电动座椅、电动车窗等),STB50NE10T4也能提供可靠的性能表现。

6. 负载切换与保护:  
   它可以用作各种设备中的负载切换开关,同时通过内置的雪崩击穿保护功能确保在异常情况下仍能安全运行。

总之,STB50NE10T4凭借其高性能指标和可靠性,广泛应用于需要高效功率处理和精确控制的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

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产品图片

产品型号

STB50NE10T4

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

STripFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

166nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

27 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

D2PAK

功率-最大值

180W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

50A (Tc)

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