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FQB19N20LTM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB19N20LTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB19N20LTM价格参考¥8.46-¥12.72。Fairchild SemiconductorFQB19N20LTM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 21A(Tc) 3.13W(Ta),140W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载FQB19N20LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB19N20LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB19N20LTM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。其应用场景主要包括以下几个方面: 1. 开关电源 (SMPS) - FQB19N20LTM 的耐压值为 200V,适用于高电压环境下的开关电源设计,例如适配器、充电器和 DC-DC 转换器。 - 其低导通电阻(Rds(on))特性可以减少功率损耗,提高效率。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启停和速度。 - 在汽车电子领域,可用于电动车窗、雨刷器或其他低功率电机的驱动。 3. 逆变器 - 在光伏逆变器或小型逆变器中,用作功率开关,实现电能转换和调节。 - 其高频开关能力有助于提高逆变器的效率和性能。 4. 负载开关 - 在消费电子设备中,如笔记本电脑、平板电脑或智能手机的电源管理系统中,用作负载开关,控制不同电路模块的供电。 - 提供快速的开关响应和低功耗特性。 5. 电磁阀控制 - 用于工业自动化设备中的电磁阀驱动,通过 MOSFET 的开关功能实现对电磁阀的精确控制。 - 适用于需要高可靠性和高效率的应用场景。 6. 保护电路 - 在过流保护、短路保护或限流电路中,利用其高耐压和快速响应特性,确保系统安全运行。 - 可用于电池管理系统(BMS)中,防止过充或过放。 7. 音频放大器 - 在 D 类音频放大器中,用作输出级开关元件,提供高效的音频信号放大。 - 其低导通电阻和高频率特性适合音频应用的需求。 总结 FQB19N20LTM 凭借其 200V 的耐压能力、低导通电阻和优异的开关性能,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、负载开关、电磁阀控制、保护电路和音频放大器等领域。它特别适合需要高效功率转换和高可靠性的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 21A D2PAKMOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
Id-连续漏极电流 | 21 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB19N20LTMQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQB19N20LTM |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 3.13 W |
Pd-功率耗散 | 3.13 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 140 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 300 ns |
下降时间 | 180 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2200pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 140 毫欧 @ 10.5A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D²PAK |
其它名称 | FQB19N20LTM-ND |
典型关闭延迟时间 | 130 ns |
功率-最大值 | 3.13W |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 1.312 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 800 |
正向跨导-最小值 | 18.5 S |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 21A (Tc) |
系列 | FQB19N20 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQB19N20LTM_NL |