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  • 型号: FQB19N20LTM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQB19N20LTM产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQB19N20LTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB19N20LTM价格参考¥8.46-¥12.72。Fairchild SemiconductorFQB19N20LTM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 21A(Tc) 3.13W(Ta),140W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载FQB19N20LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB19N20LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQB19N20LTM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。其应用场景主要包括以下几个方面:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - FQB19N20LTM 的耐压值为 200V,适用于高电压环境下的开关电源设计,例如适配器、充电器和 DC-DC 转换器。
   - 其低导通电阻(Rds(on))特性可以减少功率损耗,提高效率。

 2. 电机驱动
   - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启停和速度。
   - 在汽车电子领域,可用于电动车窗、雨刷器或其他低功率电机的驱动。

 3. 逆变器
   - 在光伏逆变器或小型逆变器中,用作功率开关,实现电能转换和调节。
   - 其高频开关能力有助于提高逆变器的效率和性能。

 4. 负载开关
   - 在消费电子设备中,如笔记本电脑、平板电脑或智能手机的电源管理系统中,用作负载开关,控制不同电路模块的供电。
   - 提供快速的开关响应和低功耗特性。

 5. 电磁阀控制
   - 用于工业自动化设备中的电磁阀驱动,通过 MOSFET 的开关功能实现对电磁阀的精确控制。
   - 适用于需要高可靠性和高效率的应用场景。

 6. 保护电路
   - 在过流保护、短路保护或限流电路中,利用其高耐压和快速响应特性,确保系统安全运行。
   - 可用于电池管理系统(BMS)中,防止过充或过放。

 7. 音频放大器
   - 在 D 类音频放大器中,用作输出级开关元件,提供高效的音频信号放大。
   - 其低导通电阻和高频率特性适合音频应用的需求。

 总结
FQB19N20LTM 凭借其 200V 的耐压能力、低导通电阻和优异的开关性能,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、负载开关、电磁阀控制、保护电路和音频放大器等领域。它特别适合需要高效功率转换和高可靠性的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 21A D2PAKMOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

21 A

Id-连续漏极电流

21 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB19N20LTMQFET®

数据手册

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产品型号

FQB19N20LTM

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

3.13 W

Pd-功率耗散

3.13 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

140 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

140 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

300 ns

下降时间

180 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2200pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

140 毫欧 @ 10.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D²PAK

其它名称

FQB19N20LTM-ND

典型关闭延迟时间

130 ns

功率-最大值

3.13W

包装

带卷 (TR)

单位重量

1.312 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

800

正向跨导-最小值

18.5 S

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

21A (Tc)

系列

FQB19N20

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQB19N20LTM_NL

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