ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRFP150PBF
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRFP150PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP150PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP150PBF价格参考。VishayIRFP150PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 41A(Tc) 230W(Tc) TO-247-3。您可以下载IRFP150PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP150PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFP150PBF是一种N沟道功率MOSFET,主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其典型应用场景: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和电压调节模块(VRM),提供高效的功率转换和稳定的输出电压。 2. 电机控制:用于驱动小型直流电机或步进电机,实现精准的速度和方向控制,常见于家用电器、工业自动化设备及消费电子产品中。 3. 电池管理系统:在电池充放电电路中作为开关元件,保护电池免受过充、过放和短路的影响,确保电池安全运行。 4. 逆变器与太阳能系统:用于光伏逆变器中,将直流电转换为交流电,提高能源利用效率,支持可再生能源应用。 5. 负载切换:在汽车电子和通信设备中用作负载切换开关,快速响应负载变化,减少能量损耗。 6. 音频放大器:作为音频功放电路中的输出级器件,提供大电流驱动能力,改善音质表现。 IRFP150PBF凭借其低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压(Vds)和大电流承载能力,在上述领域展现出卓越性能,满足多种功率电子设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 41A TO-247ACMOSFET N-Chan 100V 41 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 41 A |
| Id-连续漏极电流 | 41 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFP150PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFP150PBFIRFP150PBF |
| Pd-PowerDissipation | 230 W |
| Pd-功率耗散 | 230 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 120 ns |
| 下降时间 | 81 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 140nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 55 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | *IRFP150PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 230W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 41A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |