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Datasheet下载- 型号： ZXMN6A08E6QTA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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ZXMN6A08E6QTA产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN6A08E6QTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN6A08E6QTA价格参考。Diodes Inc.ZXMN6A08E6QTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 2.8A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26。您可以下载ZXMN6A08E6QTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN6A08E6QTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ZXMN6A08E6QTA |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 459pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 4.8A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-26 |
| 其它名称 | ZXMN6A08E6QTADITR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Ta） |
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