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产品简介:
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STMicroelectronics(意法半导体)的STF25NM60N是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率开关的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压(600V)和较强电流承载能力(25A)的特点,适合用于以下应用场景: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等,作为主开关元件,提高转换效率并降低损耗。 2. 电机驱动:用于工业自动化设备、电动工具、家电中的电机控制电路中,实现高效、快速的开关控制。 3. 照明系统:如LED驱动电源、高压气体放电灯(HID)镇流器等,适用于高电压、中高功率的照明控制应用。 4. 消费电子产品:例如变频空调、洗衣机、电磁炉等家用电器中的功率控制模块。 5. 工业控制系统:如逆变器、不间断电源(UPS)、工业电源模块等,用于高可靠性、高效率的功率管理。 6. 新能源领域:在太阳能逆变器、储能系统等设备中作为功率开关,提升系统整体能效。 该MOSFET采用TO-220封装,便于散热和安装,适用于中高功率应用场景。其高可靠性和良好的热稳定性,使其在多种工业和消费类应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 21A TO-220FP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STF25NM60N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 84nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 160 毫欧 @ 10.5A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-5005-5 |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 21A (Tc) |