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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRL3103D1STRR
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL3103D1STRR由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL3103D1STRR价格参考。VishayIRL3103D1STRR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRL3103D1STRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRL3103D1STRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRL3103D1STRR 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、稳压器和电池充电器等电源系统，因其低导通电阻（Rds(on)）可减少功率损耗，提高效率。 2. 电机控制：在直流电机驱动器和步进电机控制器中作为开关元件使用，具备快速开关特性，有助于实现精准控制。 3. 负载开关：用于智能电源分配系统中，作为电子负载开关控制高电流负载，如LED照明、加热元件等。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中用于电能转换，提供高效的交流输出。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、电动工具及电动车控制系统，具有良好的热稳定性和可靠性。 6. 工业自动化设备：在PLC、工业继电器替代方案中用作固态开关，提升系统响应速度与寿命。 该MOSFET采用表面贴装封装（如PowerPAK®），便于自动化生产和散热设计，适合高密度PCB布局。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRL3103D1STRR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FETKY™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 34A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 64A （Tc） |
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