Datasheet下载- 型号： IXTA44P15T
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTA44P15T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTA44P15T价格参考。IXYSIXTA44P15T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTA44P15T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTA44P15T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTA44P15T是一款P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于分立式FET器件。该器件具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适用于多种功率控制和电源管理场景。 该MOSFET的典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，作为高效开关元件，实现电压调节和能量转换。 2. 电机控制：在直流电机驱动电路中作为功率开关，控制电机的启停和转速。 3. 负载开关：用于控制高功率负载的通断，如加热元件、LED照明系统等，具有低导通电阻、开关速度快的优点。 4. 逆变器和UPS系统：在不间断电源（UPS）和逆变器中作为功率转换元件，实现电能形式的转换。 5. 工业自动化：用于工业控制系统中的功率开关，如PLC控制输出、继电器替代等，提高系统可靠性和寿命。 6. 汽车电子：适用于车载电源系统、电池管理系统（BMS）等场景，具备较强的抗干扰和稳定性。 IXTA44P15T因其高可靠性和良好的导通特性，广泛应用于需要高效、高稳定性的功率电子设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 44 A |
| Id-连续漏极电流 | - 44 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET TO-263 |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTA44P15T |
| 产品型号 | IXTA44P15T |
| Pd-PowerDissipation | 298 W |
| Pd-功率耗散 | 298 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| 上升时间 | 42 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 单位重量 | 1.600 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 系列 | IXTA44P15 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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