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产品简介:
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IRFI640G 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,常用于高效率电源转换和功率控制场合。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):适用于各类电源适配器、DC-DC 转换器、AC-DC 电源模块,因其具有低导通电阻和高速开关特性,有助于提高电源效率并减小体积。 2. 电机控制:用于直流电机驱动器或步进电机控制器中,作为功率开关元件,能够承受较高的电流和电压应力。 3. 逆变器与变频器:在UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、变频空调等设备中,用于实现直流到交流的电能转换。 4. 负载开关与继电器替代:可用于高可靠性开关应用,如工业控制设备、自动化系统中的电子负载开关,替代传统机械继电器,提升响应速度与使用寿命。 5. 电池管理系统(BMS):在电动车、储能系统等电池管理电路中,用于电池充放电控制与保护电路。 该器件具有良好的热稳定性和耐用性,适合在较高温度环境下工作,广泛应用于工业、通信、消费电子及汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91150 |
产品图片 | |
产品型号 | IRFI640G |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 5.9A,10V |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | *IRFI640G |
功率-最大值 | 40W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.8A (Tc) |