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- 型号： STP52N25M5
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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STP52N25M5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP52N25M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP52N25M5价格参考。STMicroelectronicsSTP52N25M5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 250V 28A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220。您可以下载STP52N25M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP52N25M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STP52N25M5是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管类别。该器件采用先进的MDmesh™ M5技术，具有高耐压、低导通电阻和优异的开关性能，适用于中高功率电源转换应用。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、服务器电源和电信电源中，作为主开关管或同步整流器件，提升转换效率并降低功耗。 2. DC-DC转换器：在升压（Boost）、降压（Buck）及反激式转换拓扑中，提供高效能的功率开关功能，适用于新能源、工业控制等领域。 3. 电机驱动：可用于中小功率电机控制电路，如家用电器、电动工具和工业自动化设备中的驱动模块。 4. 照明电源：适用于LED驱动电源和电子镇流器，支持高效率和高可靠性运行。 5. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中，用于直流到交流的功率转换环节，具备良好的热稳定性和动态响应能力。 STP52N25M5具有250V的漏源击穿电压和较低的导通电阻（典型值约0.048Ω），结合高电流承载能力（连续漏极电流可达52A），在高温环境下仍保持稳定性能，适合紧凑型高密度电源设计。其封装形式（如TO-220、TO-247等）便于散热安装，广泛应用于工业、消费类和绿色能源领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 28A TO220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STP52N25M5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1770pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 47nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 14A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-11233-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1166/PF250382?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 28A （Tc） |
