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Datasheet下载- 型号： FQD19N10LTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD19N10LTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD19N10LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD19N10LTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD19N10LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD19N10LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD19N10LTM 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其应用场景广泛，主要适用于需要高效开关和低功耗的电路设计。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 该 MOSFET 可用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块中。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够有效降低功率损耗，提高转换效率。 2. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机驱动电路中，FQD19N10LTM 可作为开关元件，控制电机的启停和速度调节。其耐压能力（100V）使其适合多种低压电机应用。 3. 负载开关 用于便携式设备中的负载开关，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。它能够在低功耗模式下快速切换负载，同时减少能量损失。 4. 电池保护电路 在锂电池保护电路中，这款 MOSFET 可用于过流保护、短路保护以及防止反向充电等功能，确保电池的安全性和可靠性。 5. LED 驱动 适用于 LED 照明系统，作为电流调节或开关元件。其高效率和低热耗散特性有助于实现更亮、更节能的照明效果。 6. 信号切换 在音频设备或多路复用器中，FQD19N10LTM 可用作信号切换元件，实现不同信号路径之间的快速切换。 7. 汽车电子 该器件也可应用于汽车电子领域，例如车身控制模块（BCM）、车窗升降器、雨刷控制系统等，满足汽车级应用对可靠性和性能的要求。 总结来说，FQD19N10LTM 的低导通电阻、高开关速度和良好的热性能使其成为消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域中理想的功率开关解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 15.6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD19N10LTMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQD19N10LTM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 410 ns |
| 下降时间 | 140 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 870pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 7.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 其它名称 | FQD19N10LTM-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 14 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15.6A （Tc） |
| 系列 | FQD19N10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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