Datasheet下载- 型号： SIR640DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR640DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR640DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR640DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIR640DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR640DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIR640DP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、服务器和移动设备中的 DC-DC 转换器和电源管理系统，因其低导通电阻（Rds(on)）可减少功率损耗，提高能效。 2. 负载开关与热插拔电路：适合用作负载开关，在电源或外围设备插入时提供平滑启动和电流限制功能，防止浪涌电流损坏系统。 3. 电池供电设备：广泛应用于便携式电子产品（如智能手机、平板电脑等）中，作为高效率的功率开关以延长电池续航时间。 4. 电机驱动与继电器替代：在小型电机控制、电磁阀及继电器替代方案中表现出色，具备快速开关能力和良好的热稳定性。 5. 工业控制系统：可用于工业自动化设备中的功率控制模块，如PLC、传感器供电控制等。 该器件采用小型封装（如PowerPAK® SC-70），便于布局且节省空间，适合高密度 PCB 设计。同时具备较高的可靠性与耐用性，适应各种中低功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIR640DP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4930pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 113nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.7 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR640DP-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
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