Datasheet下载- 型号： STD80N10F7
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD80N10F7由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD80N10F7价格参考。STMicroelectronicsSTD80N10F7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STD80N10F7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD80N10F7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD80N10F7是一款N沟道MOSFET，广泛应用于多种电力电子场景中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - STD80N10F7适用于开关电源中的功率开关，用于DC-DC转换器或AC-DC适配器。 - 其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率，减少能量损耗。 2. 电机驱动 - 该器件可作为电机驱动电路中的功率开关，控制直流电机或步进电机的启动、停止和速度调节。 - 常见于家用电器（如风扇、泵）和小型工业设备。 3. 电池管理 - 在电池管理系统（BMS）中，STD80N10F7可用作负载开关或保护开关，防止过流、短路等异常情况。 - 适用于电动车、UPS、便携式设备等。 4. 逆变器 - 在光伏逆变器或小型逆变器中，该MOSFET可用于功率转换阶段，实现高效的直流到交流转换。 5. 负载切换 - 用作负载切换开关，控制高电流负载的通断，例如LED照明、加热元件等。 6. 汽车电子 - 在汽车电子系统中，STD80N10F7可用于车载充电器、电动窗、座椅调节等应用。 - 具备良好的耐热性和可靠性，适合严苛的工作环境。 特性总结： - 电压范围：支持高达100V的漏源极电压，适用于中高压应用。 - 电流能力：连续漏极电流可达80A（在特定条件下），满足大功率需求。 - 低Rds(on)：典型值为6.5mΩ，降低导通损耗。 - 快速开关：具备较低的栅极电荷（Qg），支持高频开关应用。 总之，STD80N10F7是一款性能优异的MOSFET，适用于需要高效功率转换和开关控制的多种工业、消费类及汽车电子领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 70A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | STD80N10F7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | DeepGATE™， STripFET™ VII |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3100pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 40A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 497-14812-6 |
| 功率-最大值 | 85W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70A （Tc） |
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