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  • 型号: DMC2004DWK-7
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMC2004DWK-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMC2004DWK-7价格参考。Diodes Inc.DMC2004DWK-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 540mA,430mA 250mW 表面贴装 SOT-363。您可以下载DMC2004DWK-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMC2004DWK-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N/P-CH 20V SOT-363MOSFET 250mW 20V

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

540 mA

Id-连续漏极电流

540 mA

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMC2004DWK-7-

数据手册

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产品型号

DMC2004DWK-7

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

250 mW

Pd-功率耗散

250 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

550 mOhms at 4.5 V at N Channel, 900 mOhms at 4.5 V at P Channel

RdsOn-漏源导通电阻

550 mOhms, 900 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

150pF @ 16V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

550 毫欧 @ 540mA,4.5V

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产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-363

其它名称

DMC2004DWKDIDKR

功率-最大值

250mW

包装

Digi-Reel®

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

540mA,430mA

系列

DMC2004

通道模式

Enhancement

配置

Complementary

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