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  • 型号: STFI20N65M5
  • 制造商: STMicroelectronics
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STFI20N65M5产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STFI20N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STFI20N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTFI20N65M5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 650V 18A(Tc) 130W(Tc) I2PAKFP(TO-281)。您可以下载STFI20N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STFI20N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STFI20N65M5是一款N沟道功率MOSFET,属于第六代MDmesh™ M5技术系列。这款器件具有高击穿电压(650V)和低导通电阻(Rds(on) = 180mΩ @ Vgs = 10V),适用于多种高压开关场景。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - STFI20N65M5常用于开关电源的设计中,例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其高耐压特性使其能够承受输入电压波动,并提供高效的功率转换。
   - 适用于适配器、充电器以及工业电源等。

 2. 电机驱动
   - 在电机控制应用中,该MOSFET可用于驱动直流无刷电机(BLDC)、步进电机或伺服电机。其快速开关特性和低导通损耗有助于提高电机效率。
   - 常见于家用电器(如风扇、洗衣机)和工业设备中的电机控制。

 3. 逆变器
   - 在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中,STFI20N65M5可用作功率开关,将直流电转换为交流电。
   - 其高耐压能力和低损耗性能适合处理复杂的逆变电路。

 4. 不间断电源 (UPS)
   - 在UPS系统中,这款MOSFET可作为主功率开关或电池管理电路的一部分,确保在市电中断时高效地切换到备用电源。

 5. 电子负载和保护电路
   - 由于其高耐压特性,STFI20N65M5可用于过流保护、短路保护等电路设计,保障系统的安全运行。
   - 在电子负载测试设备中,也可用作功率耗散元件。

 6. 电动汽车和电动工具
   - 在电动汽车的辅助系统(如空调压缩机、水泵)以及电动工具(如电钻、电锯)中,该MOSFET可以实现高效功率控制。

 7. 照明系统
   - 在高压LED驱动器中,STFI20N65M5可以用作功率开关,支持高亮度LED灯的稳定工作。

总结来说,STFI20N65M5凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于需要高效功率转换和高压开关的场景,包括消费电子、工业设备、汽车电子和可再生能源领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

STFI20N65M5

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

MDmesh™ V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1345pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

45nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

190 毫欧 @ 9A,10V

供应商器件封装

I2PAKFP (281)

其它名称

497-13533

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253455?referrer=70071840

功率-最大值

30W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3 整包, I²Pak

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

18A (Tc)

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