Datasheet下载- 型号： STN2NE10
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STN2NE10由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STN2NE10价格参考。STMicroelectronicsSTN2NE10封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STN2NE10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STN2NE10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STN2NE10是一款N沟道增强型MOSFET，常用于需要高效功率控制的场景。该器件具备低导通电阻、高开关速度和良好热稳定性的特点，适用于以下主要应用场景： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、开关电源（SMPS），用于提高能量转换效率并减小体积。 2. 电机驱动：在直流电机或步进电机控制电路中作为开关元件，实现对转速和方向的精确控制。 3. 负载开关：用于控制高功率负载的通断，如加热元件、LED照明系统等。 4. 逆变器与变频器：在UPS（不间断电源）、太阳能逆变器等设备中实现电能形式的转换。 5. 汽车电子：如车载充电系统、电动工具及辅助电机控制，因其具备一定的耐压与耐温能力。 该MOSFET适用于中高功率应用，设计时需注意散热与驱动电路匹配，以确保稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STN2NE10 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | STripFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 305pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 1A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Tc） |
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