Datasheet下载- 型号： NTD4804NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4804NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4804NT4G价格参考。ON SemiconductorNTD4804NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4804NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4804NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4804NT4G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各种电子设备中。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于需要高效功率控制的场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于DC-DC转换器、同步整流器和电源开关电路中，以提高电源转换效率。 2. 电机驱动：在直流电机或步进电机的驱动电路中作为高速开关使用。 3. 负载开关：用于控制电池供电设备中的负载连接与断开，如便携式电子产品、笔记本电脑等。 4. 逆变器与变频器：在小型逆变器或变频控制系统中实现电能转换。 5. 汽车电子：如车载充电系统、LED照明控制、电动窗控制模块等。 6. 工业自动化：用于PLC、继电器替代方案及自动控制系统中的功率开关。 该MOSFET采用TSOP封装，适合表面贴装工艺，便于在紧凑型电路设计中应用。其优良的性能使其成为中低功率开关应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAKMOSFET NFET 30V 117A 4MOHM |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 117 A |
| Id-连续漏极电流 | 117 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD4804NT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD4804NT4G |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 20 ns, 19 ns |
| 下降时间 | 8 ns, 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4490pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | NTD4804NT4GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns, 35 ns |
| 功率-最大值 | 1.43W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 23 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 117 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14.5A （Ta）， 124A （Tc） |
| 系列 | NTD4804N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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