Datasheet下载- 型号： DMP3015LSS-13
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMP3015LSS-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP3015LSS-13价格参考。Diodes Inc.DMP3015LSS-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMP3015LSS-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMP3015LSS-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMP3015LSS-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 - 开关电源（SMPS）：该型号的低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。 - DC-DC 转换器：在降压或升压转换器中，DMP3015LSS-13 可用作同步整流器或主开关管，提高效率并降低功耗。 - 负载开关：可用于便携式设备中的负载开关，实现高效的电源分配和保护。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，提供高效的开关控制。 - 在 H 桥电路中，可以作为功率级的一部分，用于正反向控制电机旋转。 3. 电池保护与管理 - 过流保护：利用其低导通电阻特性，可作为电池保护电路中的电子开关，防止过流或短路。 - 电池充电控制：在充电管理电路中，用于控制充电电流的通断。 4. 信号切换 - 在需要高频信号切换的应用中，例如音频信号切换或数据线路切换，DMP3015LSS-13 的低电容和快速开关性能表现出色。 5. 消费电子 - 广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的电源管理模块。 - 用于 USB 接口的保护和切换，确保设备的安全性和稳定性。 6. 工业应用 - 传感器接口：在工业自动化系统中，可用作传感器信号的开关或放大电路中的驱动元件。 - 继电器替代：由于其快速响应和高可靠性，可替代传统机械继电器用于开关控制。 特性总结 DMP3015LSS-13 具有低导通电阻（典型值为 9.5mΩ）、小封装尺寸（SOT-897）、高工作频率以及出色的热性能，非常适合需要高效能和紧凑设计的应用场景。这些特点使其成为消费电子、通信设备、工业控制等领域中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOICMOSFET P-Channel 2.5W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 13 A |
| Id-连续漏极电流 | - 13 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP3015LSS-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMP3015LSS-13 |
| PCN其它 | |
| Pd-PowerDissipation | 2500 mW |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 60.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 60.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 2 V |
| 上升时间 | 12.4 ns |
| 下降时间 | 61.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2748pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 13A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | DMP3015LSSDICT |
| 典型关闭延迟时间 | 104.9 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 15 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Ta） |
| 系列 | DMP3015 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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