【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRFR4104TRPBF】封装/厂家_IRFR4104TRPBF中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFR4104TRPBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IRFR4104TRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRFR4104TRPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR4104TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR4104TRPBF价格参考。International RectifierIRFR4104TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 40V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR4104TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR4104TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRFR4104TRPBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于多种电力电子设备中。其主要应用场景包括：

1. 开关电源（SMPS）：IRFR4104TRPBF具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于各种开关电源设计，如笔记本电脑适配器、手机充电器等。它能够高效地进行电流切换，减少能量损失，提高电源转换效率。

2. 电机驱动：该MOSFET可用于控制直流电机或步进电机的速度和方向。在电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇）以及工业自动化设备中，IRFR4104TRPBF可以实现精确的电机控制，确保稳定运行并延长设备寿命。

3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，IRFR4104TRPBF用于将直流电转换为交流电。其高效的开关性能有助于提高逆变器的整体效率，降低热损耗，同时保持稳定的输出电压。

4. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车、储能系统等应用中，IRFR4104TRPBF可以作为电池组的充放电控制开关。它能够快速响应过流、短路等异常情况，保护电池免受损坏，并确保系统的安全性和可靠性。

5. 负载开关：在消费电子设备（如智能手机、平板电脑）和计算机外围设备中，IRFR4104TRPBF可用作负载开关，控制电路的通断。其低导通电阻特性减少了功率损耗，延长了电池续航时间。

6. LED驱动：在LED照明系统中，IRFR4104TRPBF可用于调节LED的亮度和颜色温度。通过精确控制电流，它可以实现无闪烁、高亮度的照明效果，同时提高能效。

7. 通信设备：在基站、路由器等通信设备中，IRFR4104TRPBF可用于电源管理模块，提供稳定可靠的电力支持。其紧凑的封装形式和优异的电气性能使其非常适合空间有限的应用场合。

总之，IRFR4104TRPBF凭借其出色的性能和广泛的适用性，在电力电子领域有着重要的应用价值。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 40V 42A DPAKMOSFET MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	119 A
Id-连续漏极电流	119 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR4104TRPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFR4104TRPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	140 W
Pd-功率耗散	140 W
Qg-GateCharge	89 nC
Qg-栅极电荷	89 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	5.5 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	5.5 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	40 V
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	4 V
Vgsth-栅源极阈值电压	4 V
上升时间	69 ns
下降时间	36 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2950pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	89nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	5.5 毫欧 @ 42A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D-Pak
其它名称	IRFR4104PBFDKR
功率-最大值	140W
功率耗散	140 W
包装	Digi-Reel®
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	5.5 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
栅极电荷Qg	89 nC
标准包装	1
正向跨导-最小值	58 S
汲极/源极击穿电压	40 V
漏极连续电流	119 A
漏源极电压(Vdss)	40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	42A （Tc）
配置	Single

样品试用

万种样品免费试用

去申请

IRFR4104TRPBF 相关产品

HUF76429P3

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系客服

IRFS7787TRLPBF

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系客服

IRL3715STRL

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系客服

NTD25P03LT4

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系客服

2N6661JTX02

品牌：Vishay Siliconix

价格：

联系客服

IXFX64N60P3

品牌：IXYS

价格：

联系客服

FDB33N25TM

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系客服

SI7445DP-T1-GE3

品牌：Vishay Siliconix

价格：

猜你喜欢最新产品推荐其他制造商

PDF Datasheet 数据手册内容提取

PD - 95425B IRFR4104PbF IRFU4104PbF HEXFET® Power MOSFET Features D (cid:1) Advanced Process Technology V = 40V DSS (cid:1) Ultra Low On-Resistance (cid:1) 175°C Operating Temperature R = 5.5mΩ (cid:1) Fast Switching DS(on) G (cid:1) Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax (cid:1) Lead-Free ID = 42A S Description This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on- resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a D-Pak I-Pak wide variety of applications. IRFR4104PbF IRFU4104PbF Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 119 ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 84 A ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) 42 IDM Pulsed Drain Current (cid:0) 480 PD @TC = 25°C Power Dissipation 140 W Linear Derating Factor 0.95 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V EAS (Thermally limited) Single Pulse Avalanche Energy(cid:1) 145 mJ EAS (Tested ) Single Pulse Avalanche Energy Tested Value (cid:2) 310 IAR Avalanche Current(cid:3)(cid:0) See Fig.12a, 12b, 15, 16 A EAR Repetitive Avalanche Energy (cid:4) mJ TJ Operating Junction and -55 to + 175 TSTG Storage Temperature Range °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting Torque, 6-32 or M3 screw 10 lbf(cid:6)in (1.1N(cid:6)m) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case ––– 1.05 RθJA Junction-to-Ambient (PCB mount) (cid:5) ––– 40 °C/W RθJA Junction-to-Ambient ––– 110 HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier. www.irf.com 1 (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:3)(cid:5)(cid:1)

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:3) Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 40 ––– ––– V VGS = 0V, ID = 250µA ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.032 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 4.3 5.5 mΩ VGS = 10V, ID = 42A (cid:3) VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS, ID = 250µA gfs Forward Transconductance 58 ––– ––– S V = 10V, I = 42A DS D IDSS Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 20 µA VDS = 40V, VGS = 0V ––– ––– 250 V = 40V, V = 0V, T = 125°C DS GS J IGSS Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 200 nA VGS = 20V Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -200 V = -20V GS Qg Total Gate Charge ––– 59 89 ID = 42A Qgs Gate-to-Source Charge ––– 19 ––– nC VDS = 32V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 24 ––– VGS = 10V (cid:3) td(on) Turn-On Delay Time ––– 17 ––– VDD = 20V tr Rise Time ––– 69 ––– ID = 42A td(off) Turn-Off Delay Time ––– 37 ––– ns RG = 6.8 Ω tf Fall Time ––– 36 ––– VGS = 10V (cid:3) LD Internal Drain Inductance ––– 4.5 ––– Between lead, nH 6mm (0.25in.) LS Internal Source Inductance ––– 7.5 ––– from package and center of die contact Ciss Input Capacitance ––– 2950 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 660 ––– VDS = 25V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 370 ––– pF ƒ = 1.0MHz Coss Output Capacitance ––– 2130 ––– VGS = 0V, VDS = 1.0V, ƒ = 1.0MHz Coss Output Capacitance ––– 590 ––– VGS = 0V, VDS = 32V, ƒ = 1.0MHz Coss eff. Effective Output Capacitance ––– 850 ––– VGS = 0V, VDS = 0V to 32V (cid:2) Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 42 MOSFET symbol (Body Diode) A showing the ISM Pulsed Source Current ––– ––– 480 integral reverse (Body Diode)(cid:0)(cid:1) p-n junction diode. VSD Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V TJ = 25°C, IS = 42A, VGS = 0V (cid:3) trr Reverse Recovery Time ––– 28 42 ns TJ = 25°C, IF = 42A, VDD = 20V Qrr Reverse Recovery Charge ––– 24 36 nC di/dt = 100A/µs (cid:3) ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:3) 1000 (cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:7) 1000 (cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:7) (cid:1)(cid:2) (cid:1)(cid:2) (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:8)(cid:9) (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:8)(cid:9) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:10)(cid:9) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:10)(cid:9) A) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:11)(cid:12)(cid:10)(cid:9) A) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:11)(cid:12)(cid:10)(cid:9) n(t (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:12)(cid:12)(cid:10)(cid:10)(cid:9)(cid:9) n(t (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:12)(cid:12)(cid:10)(cid:10)(cid:9)(cid:9) uerr 100 (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:8)(cid:8)(cid:12)(cid:12)(cid:8)(cid:10)(cid:9)(cid:9) uerr 100 (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:8)(cid:8)(cid:12)(cid:12)(cid:8)(cid:10)(cid:9)(cid:9) Ce (cid:15)(cid:5)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:16)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:17)(cid:12)(cid:8)(cid:9) Ce (cid:15)(cid:5)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:16)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:17)(cid:12)(cid:8)(cid:9) c c ur ur o o S S 4.5V o- o- n-t 10 n-t 10 ai ai Dr Dr ,D 4.5V ,D I 60µs PULSE WIDTH I 60µs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 175°C 1 1 00.1 11 1100 110000 00.1 11 1100 110000 V , Drain-to-Source Voltage (V) V , Drain-to-Source Voltage (V) DS DS Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 120 TJ = 25°C Α()Cueenrr t 100 TJ = 175°C Snduanecc()t 18000 TJ = 175°C c o our nsc 60 S a o- Tr TJ = 25°C an-ti 10 adr 40 Dr I,D VDS = 20V wFso, r 20 60µs PULSE WIDTH Gf VDS = 10V 1 380µs PULSE WIDTH 4 6 8 10 0 0 20 40 60 80 100 V , Gate-to-Source Voltage (V) GS ID, Drain-to-Source Current (A) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Typical Forward Transconductance Vs. Drain Current www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:3) 5000 20 VCGisSs == C0Vg,s + C f g=d 1, MCHdsZ SHORTED ID= 42A VDS= 32V C = C V) VDS= 20V 4000 Crossss = Cdgsd + Cgd ge( 16 a F) otl ep( 3000 Ciss Ve 12 c c ancti Sour CCapa, 2000 Gaeo--tt 8 Coss , S 4 1000 G V Crss 0 0 0 20 40 60 80 100 1 10 100 Q Total Gate Charge (nC) G VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 1000.0 10000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R (on) DS CAuenrrt () 100.0 TJ = 175°C CAuenrr()t 1010000 Danri 10.0 ouecr 100µsec es TJ = 25°C So- 10 Reevr, SD 1.0 Danr- t, iD 1 Tc = 25°C 11m0msescec I I Tj = 175°C VGS = 0V Single Pulse 0.1 0.1 0 1 10 100 1000 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 V , Source-toDrain Voltage (V) VDS , Drain-toSource Voltage (V) SD Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:3) 2.0 120 LIMITED BY PACKAGE nec ID = 42A 100 assti VGS = 10V e R Aen()t 80 Onec d) 1.5 CDnuarrr I, iD 2460000 DSanoour--rt, iRDSon() mNoaez(r li 01..50 25 50 75 100 125 150 175 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 TC , Case Temperature (°C) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 9. Maximum Drain Current Vs. Fig 10. Normalized On-Resistance Case Temperature Vs. Temperature 10 )C 1 J h t D = 0.50 Z e( 0.20 s mRaepons l 0.1 000...100025 τJτJτ1τ1 R1R1 τ2τR22R2 τCτ R00i (..55°C0462/W78 ) τ00i ..(00s00e04c40)1841 er 0.01 0.01 Ci= τi/Ri Th Ci i/Ri Notes: SINGLE PULSE 1. Duty Factor D = t1/t2 ( THERMAL RESPONSE ) 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:3) 600 15V mJ) ID y( 500 TOP 9.2A g 13A VDS L DRIVER ner BOTTOM 42A E e 400 h RG D.U.T + nc IAS - VDDA aavl 300 2V0GVS tp 0.01Ω Aes ul P 200 Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit e gl n V(BR)DSS Si 100 tp S , A E 0 25 50 75 100 125 150 175 Starting TJ, Junction Temperature (°C) IAS Fig 12c. Maximum Avalanche Energy Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms Vs. Drain Current Q G (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4) Q Q GS GD 4.0 VG Ve() g a Votl 3.0 ID = 250µA Charge d ol h Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform s e hr SaCmuerreTnytpeReagsulDat.oUr.T. Gea tt 2.0 50KΩ h) 12V .2µF S(t .3µF G V + D.U.T. -VDS 1.0 VGS -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 3mA TJ , Temperature ( °C ) IG ID CurrentSamplingResistors Fig 13b. Gate Charge Test Circuit Fig 14. Threshold Voltage Vs. Temperature 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:3) 1000 Duty Cycle = Single Pulse Allowed avalanche Current vs avalanche pulsewidth, tav 100 A) 0.01 assuming ∆Tj = 25°C due to n(t avalanche losses. Note: In no e case should Tj be allowed to urr 0.05 exceed Tjmax C 10 e 0.10 h c n a al v A 1 0.1 1.0E-06 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 tav (sec) Fig 15. Typical Avalanche Current Vs.Pulsewidth 160 Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 15, 16: TOP Single Pulse (For further info, see AN-1005 at www.irf.com) BOTTOM 1% Duty Cycle 1. Avalanche failures assumption: J) ID = 42A Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a my( 120 etevmerpye praatrut rtey pfaer. in excess of Tjmax. This is validated for g er 2. Safe operation in Avalanche is allowed as long asTjmax is En not exceeded. e 3. Equation below based on circuit and waveforms shown in h 80 c Figures 12a, 12b. n a 4. P = Average power dissipation per single al D (ave) v avalanche pulse. A ,RA 40 5 . BvoVlt a=g Rea intecdre barseea kdduoriwnng vaovlatalagnec h(1e.)3. factor accounts for E 6. I = Allowable avalanche current. av 7. ∆T = Allowable rise in junction temperature, not to exceed T (assumed as 25°C in Figure 15, 16). jmax 0 t Average time in avalanche. av = 25 50 75 100 125 150 175 D = Duty cycle in avalanche = t ·f av Starting TJ , Junction Temperature (°C) ZthJC(D, tav) = Transient thermal resistance, see figure 11) P = 1/2 ( 1.3·BV·I ) =(cid:1)(cid:1)T/ Z D (ave) av thJC Fig 16. Maximum Avalanche Energy I =2(cid:1)T/ [1.3·BV·Z ] av th Vs. Temperature E = P ·t AS (AR) D (ave) av www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:3) Driver Gate Drive (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5) P.W. Period D = + P.W. Period (cid:24) (cid:1) (cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:22)(cid:19)(cid:23)(cid:3)(cid:24)(cid:25)(cid:26)(cid:27)(cid:22)(cid:23)(cid:3)(cid:18)(cid:27)(cid:28)(cid:29)(cid:19)(cid:30)(cid:31)(cid:20)(cid:25)(cid:23)(cid:19)(cid:27)(cid:28)(cid:29) VGS=10V • (cid:3)(cid:24)(cid:27) (cid:3)(cid:2)(cid:23)(cid:20)(cid:25)(cid:26)(cid:3)!(cid:28)(cid:30)(cid:22)(cid:21)(cid:23)(cid:25)(cid:28)(cid:21)(cid:31) (cid:3)(cid:3) • (cid:1)(cid:20)(cid:27)(cid:22)(cid:28)(cid:30)(cid:3)(cid:6)"(cid:25)(cid:28)(cid:31) - (cid:3)(cid:3) • (cid:24)(cid:27) (cid:3)(cid:24)(cid:31)(cid:25)#(cid:25)$(cid:31)(cid:3)!(cid:28)(cid:30)(cid:22)(cid:21)(cid:23)(cid:25)(cid:28)(cid:21)(cid:31) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:18)(cid:22)(cid:20)(cid:20)(cid:31)(cid:28)(cid:23)(cid:3)(cid:4)(cid:20)(cid:25)(cid:28)(cid:29)%(cid:27)(cid:20)&(cid:31)(cid:20) D.U.T. ISDWaveform + (cid:3) Reverse (cid:2) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:4) dv/dt VDD (cid:7) (cid:22)(cid:1) • (cid:30)()(cid:30)(cid:23)(cid:3)(cid:21)(cid:27)(cid:28)(cid:23)(cid:20)(cid:27)""(cid:31)(cid:30)(cid:3)*(cid:26)(cid:3)+(cid:1) ’’ Re-Applied • ’(cid:20)(cid:19)((cid:31)(cid:20)(cid:3)(cid:29)(cid:25)&(cid:31)(cid:3)(cid:23)(cid:26),(cid:31)(cid:3)(cid:25)(cid:29)(cid:3)’(cid:12)-(cid:12)(cid:4)(cid:12) + Voltage Body Diode Forward Drop • !(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:21)(cid:27)(cid:28)(cid:23)(cid:20)(cid:27)""(cid:31)(cid:30)(cid:3)*(cid:26)(cid:3)’(cid:22)(cid:23)(cid:26)(cid:3).(cid:25)(cid:21)(cid:23)(cid:27)(cid:20)(cid:3)/’/ - Inductor Curent • ’(cid:12)-(cid:12)(cid:4)(cid:12)(cid:3)0(cid:3)’(cid:31)((cid:19)(cid:21)(cid:31)(cid:3)-(cid:28)(cid:30)(cid:31)(cid:20)(cid:3)(cid:4)(cid:31)(cid:29)(cid:23) Ripple ≤ 5% ISD (cid:24)(cid:6)(cid:7) (cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:7)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:13)(cid:11)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:6)(cid:13)(cid:17)(cid:18)(cid:17)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:17)(cid:18)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:21) (cid:1)(cid:2) Fig 17. (cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:3)(cid:13)(cid:6)(cid:14)(cid:11)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:17)(cid:3)(cid:12)(cid:15)(cid:18)(cid:12)(cid:19)(cid:3)(cid:20)(cid:6)(cid:21)(cid:19)(cid:3)(cid:22)(cid:10)(cid:16)(cid:14)(cid:23)(cid:10)(cid:19)(cid:3)for N-Channel HEXFET(cid:1)(cid:3)Power MOSFETs (cid:22) ’ (cid:7) ’(cid:2) (cid:7) (cid:1)(cid:2) (cid:20)(cid:23)(cid:24)(cid:23)(cid:25)(cid:23) (cid:22) (cid:1) +(cid:7) - ’’ (cid:5)(cid:1)(cid:7) (cid:6)(cid:22)"(cid:29)(cid:31)(cid:3)1(cid:19)(cid:30)(cid:23)2(cid:3)≤ 1 3(cid:29) ’(cid:22)(cid:23)(cid:26)(cid:3).(cid:25)(cid:21)(cid:23)(cid:27)(cid:20)(cid:3)≤ 0.1 % Fig 18a. Switching Time Test Circuit VDS 90% 10% VGS td(on) tr td(off) tf Fig 18b. Switching Time Waveforms 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:24)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:27)(cid:17)(cid:18)(cid:25) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:14)(cid:5)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) EXAMPLE: THIS IS AN IRFR120 PART NUMBER WITH ASSEMBLY INTERNATIONAL LOT CODE 1234 RECTIFIER IRFR120 DATE CODE ASSEMBLED ON WW 16, 2001 LOGO 116A YEAR 1 = 2001 IN THE ASSEMBLY LINE "A" 12 34 WEEK 16 LINE A Note: "P" in assembly line position ASSEMBLY indicates "Lead-Free" LOT CODE "P" in assembly line position indicates "Lead-Free" qualification to the consumer-level PART NUMBER OR INTERNATIONAL DATE CODE RECTIFIER IRFR120 P = DESIGNATES LEAD-FREE LOGO PRODUCT (OPTIONAL) 12 34 P = DESIGNATES LEAD-FREE ASSEMBLY PRODUCT QUALIFIED TO THE CONSUMER LEVEL (OPTIONAL) LOT CODE YEAR 1 = 2001 WEEK 16 A = ASSEMBLY SITE CODE Notes: 1.For an Automotive Qualified version of this part please see http://www.irf.com/product-info/datasheets/ data/auirfr4104.pdf 2.For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ www.irf.com 9

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:3) (cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:28)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:24)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:27)(cid:17)(cid:18)(cid:25) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) (cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:28)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:14)(cid:5)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) EXAMPLE: THIS IS AN IRFU120 PART NUMBER INTERNATIONAL WITH ASSEMBLY LOT CODE 5678 RECTIFIER IRFU120 DATE CODE LOGO 119A YEAR 1 = 2001 ASSEMBLED ON WW 19, 2001 56 78 WEEK 19 IN THE ASSEMBLY LINE "A" LINE A ASSEMBLY LOT CODE Note: "P" in assembly line position indicates Lead-Free" OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER IRFU120 DATE CODE LOGO P = DESIGNATES LEAD-FREE PRODUCT (OPTIONAL) 56 78 YEAR 1 = 2001 ASSEMBLY LOT CODE WEEK 19 A = ASSEMBLY SITE CODE Notes: 1.For an Automotive Qualified version of this part please see http://www.irf.com/product-info/datasheets/ data/auirfr4104.pdf 2.For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ 10 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:8)(cid:4)(cid:29)(cid:25)(cid:6)(cid:30)(cid:6)(cid:31)(cid:25)(cid:25)(cid:27)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) TR TRR TRL 16.3 ( .641 ) 16.3 ( .641 ) 15.7 ( .619 ) 15.7 ( .619 ) 12.1 ( .476 ) FEED DIRECTION 8.1 ( .318 ) FEED DIRECTION 11.9 ( .469 ) 7.9 ( .312 ) NOTES : 1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER. 2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS ( INCHES ). 3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541. 13 INCH 16 mm NOTES : 1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481. (cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11) (cid:4)(cid:6)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:2) Coss eff. is a fixed capacitance that gives the same charging time max. junction temperature. (See fig. 11). as Coss while VDS is rising from 0 to 80% VDSS . (cid:3) (cid:6)Limited by TJmax, starting TJ = 25°C, L = 0.16mH (cid:1)(cid:2)Limited by TJmax , see Fig.12a, 12b, 15, 16 for typical repetitive RG = 25Ω, IAS = 42A, VGS =10V. Part not avalanche performance. recommended for use above this value. (cid:3)(cid:2)This value determined from sample failure population. 100% (cid:1)Pulse width ≤ 1.0ms; duty cycle ≤ 2%. tested to this value in production. (cid:4)(cid:6)(cid:6) When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) . For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994 Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Industrial market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.09/2010 www.irf.com 11

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRFR4104PBF IRFR4104TRPBF IRFR4104TRLPBF IRFR4104TRRPBF