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  • 型号: IRFIBC20GPBF
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFIBC20GPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFIBC20GPBF价格参考。VishayIRFIBC20GPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFIBC20GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFIBC20GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FPMOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.7 A

Id-连续漏极电流

1.7 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFIBC20GPBF-

数据手册

http://www.vishay.com/doc?91179

产品型号

IRFIBC20GPBFIRFIBC20GPBF

Pd-PowerDissipation

30 W

Pd-功率耗散

30 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.4 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

4.4 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

23 ns

下降时间

25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

350pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.4 欧姆 @ 1A,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

*IRFIBC20GPBF

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

30W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 全封装,隔离接片

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.7A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

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