数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFIBC20GPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFIBC20GPBF价格参考。VishayIRFIBC20GPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFIBC20GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFIBC20GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFIBC20GPBF 是 Vishay Siliconix(威世科技)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于场效应晶体管(FET)中的一种。该器件广泛应用于需要高效开关和功率控制的电子系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中,用于高效能的电能转换与调节。 2. 电机控制:在电动工具、家用电器(如风扇、洗衣机)和工业电机驱动中,作为开关元件控制电机的启停与速度。 3. 照明系统:LED照明调光控制、汽车照明(如大灯、尾灯)驱动电路中,实现高效能和高稳定性的电流控制。 4. 汽车电子:如车载充电器、电池管理系统(BMS)、车身控制模块等,适用于对可靠性要求较高的汽车环境。 5. 消费电子产品:例如笔记本电脑、平板电脑、智能电视等设备中的电源开关和负载管理。 该MOSFET具有低导通电阻、高频率响应和良好热性能,适合中高功率应用场合。同时,其封装形式(如D2PAK)便于散热和安装,提高了系统稳定性和寿命。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FPMOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.7 A |
Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFIBC20GPBF- |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91179 |
产品型号 | IRFIBC20GPBFIRFIBC20GPBF |
Pd-PowerDissipation | 30 W |
Pd-功率耗散 | 30 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.4 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.4 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 23 ns |
下降时间 | 25 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.4 欧姆 @ 1A,10V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | *IRFIBC20GPBF |
典型关闭延迟时间 | 30 ns |
功率-最大值 | 30W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.7A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |