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Datasheet下载- 型号： IRFH5300TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRFH5300TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5300TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5300TRPBF价格参考。International RectifierIRFH5300TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），250W（Tc） 8-PQFN（5x6）。您可以下载IRFH5300TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH5300TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFH5300TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）： IRFH5300TRPBF具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于开关电源中的功率转换电路，如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。 2. 电机驱动： 该MOSFET适合用于中小型电机驱动应用，例如家用电器（风扇、水泵）、电动工具和自动化设备中的无刷直流电机（BLDC）或有刷直流电机控制。 3. 电池管理系统（BMS）： 在电池保护和管理中，IRFH5300TRPBF可以用作充放电路径的开关，实现过流保护、短路保护以及负载切换功能。 4. 逆变器和变频器： 它可用于光伏逆变器、UPS（不间断电源）和其他需要高效功率转换的场合，支持高频开关操作以提高效率并减少热量损失。 5. 汽车电子： 该器件符合AEC-Q101标准，广泛应用于汽车电子领域，如启动/停止系统、电动车窗、座椅调节、LED照明驱动等。 6. 消费类电子产品： 包括笔记本电脑充电器、平板电视背光驱动、游戏机电源模块等，提供高效的功率管理和稳定的性能表现。 总结来说，IRFH5300TRPBF凭借其出色的电气特性和可靠性，适用于各种需要高性能功率开关的应用场景，尤其是在注重效率和散热的设计中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| Ciss-输入电容 | 7.2 nF |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 40A PQFNMOSFET 30V SINGLE N-CH 1.4mOhms 50nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5300TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH5300TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.6 W |
| Pd-功率耗散 | 3.6 W |
| Qg-GateCharge | 50 nC |
| Qg-栅极电荷 | 120 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7200pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6）单芯片焊盘 |
| 其它名称 | IRFH5300TRPBF-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 功率耗散 | 3.6 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.1 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5x6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 50 nC |
| 标准包装 | 4,000 |
| 正向跨导-最小值 | 190 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 40 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5300.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5300.spi |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
