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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB5N80TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB5N80TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB5N80TM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQB5N80TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB5N80TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB5N80TM 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,主要应用于需要高效能功率开关的场合。其额定电压为800V,电流能力适中,适合用于电源管理和转换系统。 该器件典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):适用于各类AC-DC电源转换器,如适配器、充电器、PC电源等,用于提高转换效率和减小体积。 2. LED照明驱动:用于高电压LED驱动电路中,提供稳定的电流控制和高效能转换。 3. 电机控制与驱动:在小功率电机控制电路中作为开关元件使用,如风扇、泵类等家电或工业设备中的电机驱动。 4. 逆变器和UPS系统:用于不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中,作为DC-AC转换的关键开关元件。 5. 工业自动化设备:用于工业控制系统中的功率开关,如PLC控制输出、继电器替代方案等。 其封装形式为TO-220,便于散热和安装,适合中等功率应用。由于其高耐压特性,也常用于需要隔离和高可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 4.8A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB5N80TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.6 欧姆 @ 2.4A,10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.8A (Tc) |