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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB3077GPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB3077GPBF价格参考。International RectifierIRFB3077GPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFB3077GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB3077GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFB3077GPBF是一款晶体管 - FET,MOSFET - 单类型的产品。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:IRFB3077GPBF常用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和电压调节模块中,作为高效的开关元件。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高整体效率。 2. 电机控制:该MOSFET适用于各种电机驱动应用,例如无刷直流电机(BLDC)控制器、步进电机驱动器等。其快速开关特性和低损耗使其成为高效电机控制的理想选择。 3. 工业自动化:在工业设备中,如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器和机器人系统中,IRFB3077GPBF被用作开关或驱动元件,以实现精确的负载控制。 4. 汽车电子:该器件可用于汽车电子系统中的多种应用,如电动窗、座椅调节、雨刷控制以及LED照明驱动。其高可靠性和耐热性适合严苛的车载环境。 5. 通信设备:在基站、路由器和其他通信设备中,IRFB3077GPBF可以用于信号放大、功率调节和保护电路,确保设备稳定运行。 6. 消费类电子产品:包括笔记本电脑适配器、平板充电器、游戏机电源等,该MOSFET能够提供高效能和小尺寸解决方案,满足现代消费电子产品对紧凑设计的需求。 总之,IRFB3077GPBF凭借其出色的电气性能和可靠性,在需要高效功率转换与控制的各种领域都有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220ABMOSFET MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 210 A |
| Id-连续漏极电流 | 210 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB3077GPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFB3077GPBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 370 W |
| Pd-功率耗散 | 370 W |
| Qg-GateCharge | 160 nC |
| Qg-栅极电荷 | 160 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9400pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 220nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.3 毫欧 @ 75A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 370W |
| 功率耗散 | 370 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 2.8 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 160 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 75 V |
| 漏极连续电流 | 210 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |