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  • 型号: PHT8N06LT,135
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PHT8N06LT,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHT8N06LT,135价格参考。NXP SemiconductorsPHT8N06LT,135封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PHT8N06LT,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PHT8N06LT,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223MOSFET N-CH TRENCH 55V 7.5A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3.5 A

Id-连续漏极电流

3.5 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PHT8N06LT,135TrenchMOS™

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产品型号

PHT8N06LT,135

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

1800 mW

Pd-功率耗散

1.8 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

65 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

65 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 13 V

Vgs-栅源极击穿电压

13 V

上升时间

30 ns

下降时间

30 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

650pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11.2nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

80 毫欧 @ 5A,5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-73

其它名称

568-7369-2
934054610135
PHT8N06LT /T3
PHT8N06LT /T3-ND
PHT8N06LT,135-ND
PHT8N06LT135

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

1.8W

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

4,000

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.5A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

零件号别名

/T3 PHT8N06LT

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