Datasheet下载- 型号： IXFN32N80P
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN32N80P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN32N80P价格参考。IXYSIXFN32N80P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFN32N80P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFN32N80P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFN32N80P是一款高压N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于高电压、大电流的功率控制场景。该器件耐压高达800V，连续漏极电流可达32A，具备优良的导通电阻和开关特性，适合在高效率电源系统中使用。 主要应用场景包括：工业用开关电源（SMPS）、直流-直流（DC-DC）转换器、逆变器（如太阳能逆变器）、不间断电源（UPS）以及电机驱动系统。由于其高耐压能力，常用于需要将交流高压转换为稳定直流输出的整流与功率调节电路中，适用于工业自动化设备、电力控制系统和高可靠性电源模块。 此外，IXFN32N80P也常见于电焊机、高压照明电源（如HID灯镇流器）和感应加热设备中，因其能承受高温和恶劣工作环境，具备良好的热稳定性和耐用性。在设计上，该MOSFET有助于减少能量损耗，提高整体系统效率，是中高功率应用中的理想选择。 综上所述，IXFN32N80P适用于对电压等级和功率处理能力要求较高的工业与电力电子领域，尤其适合需要高效、可靠开关性能的高压电源系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227BMOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds |
| 产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 29 A |
| Id-连续漏极电流 | 29 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFN32N80PPolarHV™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFN32N80P |
| Pd-PowerDissipation | 625 W |
| Pd-功率耗散 | 625 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 270 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 29 ns |
| 下降时间 | 26 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8820nF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 270 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 典型关闭延迟时间 | 85 ns |
| 功率-最大值 | 625W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 38 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 封装/箱体 | SOT-227B-4 |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 29A |
| 系列 | IXFN32N80 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Source |
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