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  • 型号: IRFP448PBF
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP448PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP448PBF价格参考。VishayIRFP448PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFP448PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP448PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 11A TO-247ACMOSFET N-Chan 500V 11 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

11 A

Id-连续漏极电流

11 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFP448PBF-

数据手册

http://www.vishay.com/doc?91229

产品型号

IRFP448PBFIRFP448PBF

Pd-PowerDissipation

180 W

Pd-功率耗散

180 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

600 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

600 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

40 ns

下降时间

32 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1900pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

84nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

600 毫欧 @ 6.6A,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

*IRFP448PBF

典型关闭延迟时间

62 ns

功率-最大值

180W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

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