ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PSMN022-30BL,118
Datasheet下载- 型号： PSMN022-30BL,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN022-30BL,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN022-30BL,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN022-30BL,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 41W（Tc） D2PAK。您可以下载PSMN022-30BL,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN022-30BL,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PSMN022-30BL,118是一款30V、N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用SOT-223封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅2.2mΩ @ Vgs=10V，4.5mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID可达120A脉冲）及优良热性能。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器/通信设备中的同步降压（Buck）转换器、POL（负载点）电源，作为高效主开关或同步整流管，提升转换效率并降低温升。 - 电机驱动与负载开关：适用于中小功率直流电机控制（如风扇、泵、电动工具）、LED驱动及板级电源管理中的高侧/低侧负载开关，得益于其快速开关特性（tr/tf约10ns）和强抗雪崩能力。 - 电池管理系统（BMS）：用于锂电池保护电路中的充放电路径控制，支持大电流通断与过流保护。 - 工业与汽车电子：符合AEC-Q101标准（该型号为车规级），可用于车身控制模块（BCM）、LED照明驱动、车载USB充电模块等对可靠性与温度稳定性要求较高的场景。 - 消费类电子：在高端移动电源、游戏设备、智能家电中承担高效电源切换与功率调节功能。 其逻辑电平驱动特性（Vgs(th)低至1.0–2.1V）便于直接由MCU或FPGA GPIO驱动，简化外围电路；SOT-223封装兼顾散热性与PCB布局灵活性。综合来看，该器件适用于对效率、功率密度和可靠性均有较高要求的中高功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 30A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN022-30BL,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN022-30BL,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 41 W |
| Pd-功率耗散 | 41 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 22.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 22.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 447pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22.6 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9487-1 |
| 功率-最大值 | 41W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
