Datasheet下载- 型号： SI2327DS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2327DS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2327DS-T1-GE3价格参考。VishaySI2327DS-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI2327DS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2327DS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2327DS-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的电源管理系统，用于电池供电切换和负载管理。 2. DC-DC 转换器：在各类电源模块和适配器中作为同步整流器或开关元件，提高转换效率并减小体积。 3. 负载开关：用于控制外围设备的电源供应，如 USB 接口电源控制、传感器或马达的启停控制。 4. 电机驱动与继电器替代：在小型电机驱动电路或固态继电器中，实现快速开关控制，减少机械磨损。 5. 汽车电子系统：如车载娱乐系统、照明控制、车身控制模块等，因其封装小巧且可靠性高，适合空间受限的应用。 6. 工业控制系统：用于工业自动化设备中的信号切换和功率控制，例如PLC模块、传感器接口等。 该器件采用小型 SOT-23 封装，导通电阻低，适合高频开关操作，具有良好的热稳定性和耐用性，适用于对空间和能效要求较高的设计场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 380MA SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI2327DS-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.35 欧姆 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2327DS-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 380mA （Ta） |
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