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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PH9930L,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PH9930L,115价格参考。NXP SemiconductorsPH9930L,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PH9930L,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PH9930L,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc.的PH9930L,115是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单个晶体管器件。该器件通常用于电源管理和功率转换应用中,具有高效的开关性能和良好的热稳定性。 PH9930L,115的应用场景主要包括: 1. 电源管理系统:用于DC-DC转换器、稳压器等电路中,实现高效的电能转换。 2. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等,用于控制电池充放电及电源开关。 3. 工业控制设备:在工业自动化系统中,用于驱动负载如继电器、电机、LED照明等。 4. 消费类电子产品:如智能家电、音响设备、电源适配器等,用于提高能效和减小体积。 5. 汽车电子:在车载电源系统或辅助电子系统中,作为功率开关使用。 该MOSFET具有低导通电阻、小型封装、响应速度快等优点,适合高效率、高密度电源设计的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PH9930L,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1565pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.9 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 其它名称 | 934061155115 |
| 功率-最大值 | 62.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 63A (Tc) |