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  • 型号: PH9930L,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PH9930L,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PH9930L,115价格参考。NXP SemiconductorsPH9930L,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PH9930L,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PH9930L,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc.的PH9930L,115是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单个晶体管器件。该器件通常用于电源管理和功率转换应用中,具有高效的开关性能和良好的热稳定性。

PH9930L,115的应用场景主要包括:

1. 电源管理系统:用于DC-DC转换器、稳压器等电路中,实现高效的电能转换。
2. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等,用于控制电池充放电及电源开关。
3. 工业控制设备:在工业自动化系统中,用于驱动负载如继电器、电机、LED照明等。
4. 消费类电子产品:如智能家电、音响设备、电源适配器等,用于提高能效和减小体积。
5. 汽车电子:在车载电源系统或辅助电子系统中,作为功率开关使用。

该MOSFET具有低导通电阻、小型封装、响应速度快等优点,适合高效率、高密度电源设计的需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PH9930L,115

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.15V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1565pF @ 12V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13.3nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9.9 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

LFPAK56, Power-SO8

其它名称

934061155115
PH9930L T/R
PH9930L T/R-ND

功率-最大值

62.5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-100,SOT-669,4-LFPAK

标准包装

1,500

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

63A (Tc)

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