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FQD13N06TM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD13N06TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD13N06TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD13N06TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 10A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak。您可以下载FQD13N06TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD13N06TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD13N06TM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其典型应用场景包括但不限于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS)
- FQD13N06TM 的耐压值为 60V,导通电阻低(典型值为 0.013Ω),非常适合用于开关电源中的高频开关应用。例如:
- DC-DC 转换器
- 降压或升压转换器
- 开关模式电源的同步整流
2. 电机驱动
- 该 MOSFET 可用于驱动小型直流电机或步进电机,适用于以下场景:
- 家用电器中的电机控制(如风扇、水泵)
- 电动工具中的电机驱动
- 机器人和自动化设备中的电机控制
3. 负载开关
- 在需要高效负载切换的应用中,FQD13N06TM 可作为负载开关使用,提供低损耗的电流路径。例如:
- 移动设备中的电源管理
- 工业设备中的负载切换
- 电池管理系统 (BMS)
4. 逆变器
- 该器件可用于设计小型逆变器,将直流电转换为交流电,适用于:
- 太阳能微逆变器
- UPS 不间断电源系统
5. LED 驱动
- FQD13N06TM 的低导通电阻特性使其成为 LED 驱动电路的理想选择,适合以下应用:
- 汽车照明(如刹车灯、转向灯)
- 工业和商业 LED 照明
6. 保护电路
- 由于其快速开关特性和低导通损耗,FQD13N06TM 可用于过流保护、短路保护等电路中,确保系统安全运行。
7. 音频功率放大器
- 在音频设备中,该 MOSFET 可用于功率放大器的输出级,提供高效、低失真的音频信号放大。
总结
FQD13N06TM 凭借其低导通电阻、高效率和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域。具体应用时需根据实际需求选择合适的驱动电路和散热方案,以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 10A DPAKMOSFET 60V N-Ch QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD13N06TMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQD13N06TM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 310pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 140 毫欧 @ 5A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FQD13N06TMCT |
| 典型关闭延迟时间 | 8 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 140 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |
| 系列 | FQD13N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |