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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供QS5U21TR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 QS5U21TR价格参考。ROHM SemiconductorQS5U21TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载QS5U21TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有QS5U21TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的QS5U21TR是一款P沟道MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件采用小型化封装(如USMT),适用于空间受限的便携式电子设备。其主要特点包括低导通电阻(RDS(on))、低阈值电压和高开关效率,适合电池供电系统中对功耗敏感的应用。 QS5U21TR常用于负载开关、电源管理开关、电池保护电路以及便携式设备中的信号切换。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、蓝牙耳机和其他低电压、低功耗电子产品。在这些设备中,它可用于控制电源通断、防止反向电流或实现多路电源管理。 由于其P沟道结构,QS5U21TR在栅极施加低电平时导通,控制逻辑简单,无需额外的驱动电路,有助于简化设计并降低成本。同时,器件具有良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适合消费类电子和工业级应用。 综上,QS5U21TR凭借其小尺寸、低功耗和高可靠性,广泛应用于各类便携式电子产品的电源开关与管理场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5MOSFET P-CH 20V 1.5A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 二极管(隔离式) |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor QS5U21TR- |
数据手册 | |
产品型号 | QS5U21TR |
Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
Pd-功率耗散 | 1.25 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 325pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.2nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 200 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TSMT5 |
其它名称 | QS5U21CT |
典型关闭延迟时间 | 35 ns |
功率-最大值 | 900mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 160 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-5 细型,TSOT-23-5 |
封装/箱体 | TSMT-5 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 20 V |
漏极连续电流 | 1.5 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.5A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |