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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FDB12N50UTM_WS
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB12N50UTM_WS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB12N50UTM_WS价格参考。Fairchild SemiconductorFDB12N50UTM_WS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB12N50UTM_WS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB12N50UTM_WS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB12N50UTM_WS 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有高耐压（500V）和较高电流承载能力（12A），适用于需要高效能与高可靠性的场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：用于AC-DC转换电路中，作为开关元件，提高能效，减小体积。 2. 工业电源与UPS系统：在不间断电源和工业控制电源中用于功率因数校正（PFC）和DC-DC转换。 3. 电机驱动：适用于中小型电机控制电路，如风扇、泵类设备中的功率开关。 4. 照明系统：用于LED驱动电源或HID灯镇流器中，实现高效稳定供电。 5. 家电控制：如变频空调、洗衣机等家电中的功率控制模块。 该MOSFET采用TO-252封装，便于散热和安装，适合中高功率应用。其低导通电阻和快速开关特性有助于降低损耗，提高系统效率。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDB12N50UTM_WS |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FRFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1395pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 800 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FDB12N50UTM_WSDKR |
| 功率-最大值 | 165W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
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