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型号： BSS806NEH6327XTSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSS806NEH6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS806NEH6327XTSA1价格参考。InfineonBSS806NEH6327XTSA1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BSS806NEH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS806NEH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

英飞凌（Infineon Technologies）的BSS806NEH6327XTSA1是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，属于单个FET类别。该型号具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电子应用领域。以下是其主要应用场景：

1. 电源管理：  
   BSS806NEH6327XTSA1常用于DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）以及负载开关等电源管理电路中。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高效率。

2. 电机驱动：  
   该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关控制，适合家用电器、玩具和自动化设备中的低功率电机应用。

3. 信号切换：  
   在音频设备、通信设备和其他需要信号切换的应用中，这款MOSFET能够快速、可靠地切换信号路径，确保信号完整性。

4. 电池保护：  
   它可以应用于便携式设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）的电池管理系统中，用于过流保护、短路保护和充放电控制。

5. 消费电子产品：  
   该器件广泛用于各种消费类电子产品，如遥控器、智能家居设备、LED照明驱动等，提供高效且稳定的性能。

6. 汽车电子：  
   虽然BSS806NEH6327XTSA1主要用于低功率应用，但在某些汽车电子系统中（如传感器接口、车载娱乐系统），它也可以作为开关元件使用。

总之，BSS806NEH6327XTSA1凭借其优异的电气特性和紧凑的封装形式，成为众多低功率、高频开关应用的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
ChannelMode	Enhancement
Id-ContinuousDrainCurrent	2.3 A
Id-连续漏极电流	2.3 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSS806NEH6327XTSA1
mouser_ship_limit	该产品可能需要其他文件才能进口到中国。
产品型号	BSS806NEH6327XTSA1
Pd-PowerDissipation	0.5 W
Pd-功率耗散	500 mW
Qg-GateCharge	1.7 nc
Qg-栅极电荷	1.7 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	57 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	57 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	8 V
Vgs-栅源极击穿电压	8 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	0.55 V
Vgsth-栅源极阈值电压	0.55 V
上升时间	9.9 ns
下降时间	3.7 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	12 ns
商标	Infineon Technologies
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/箱体	SOT-23-3
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
正向跨导-最小值	9 S
系列	BSS806
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	SP000999336