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  • 型号: FDI030N06
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDI030N06产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDI030N06由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDI030N06价格参考。Fairchild SemiconductorFDI030N06封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 231W(Tc) I2PAK(TO-262)。您可以下载FDI030N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDI030N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDI030N06 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,具有30A大电流、60V耐压特性,导通电阻低,适用于高效率开关应用。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC适配器中,作为主开关或同步整流器件,提升能效并减少发热。

2. 电机驱动:适用于电动工具、家用电器(如风扇、洗衣机)及工业控制中的小型直流电机驱动电路,具备快速开关响应和良好热稳定性。

3. 照明系统:在LED驱动电源中用于恒流控制与调光功能,支持高效稳定的照明输出,常见于商业与户外LED灯具。

4. 电池管理系统(BMS):用于锂电池保护板中的充放电控制开关,提供过流、短路保护,确保电池组安全运行。

5. 汽车电子:应用于车载电源模块、车灯控制、小型泵类或风扇控制等场景,满足汽车级可靠性要求。

6. 消费类电子产品:如充电器、移动电源、笔记本电脑电源模块等,因其高效率和小封装优势,有助于实现产品小型化与节能设计。

FDI030N06采用TO-220或DPAK等封装形式,易于散热和集成,适合中高功率密度设计。凭借安森美在功率器件领域的技术积累,该型号具备良好的一致性和长期可靠性,是工业、消费及汽车辅助系统中理想的MOSFET选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAKMOSFET NCH 60V 3.0Mohm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

193 A

Id-连续漏极电流

193 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDI030N06PowerTrench®

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产品型号

FDI030N06

Pd-PowerDissipation

231 W

Pd-功率耗散

231 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.6 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

上升时间

178 ns

下降时间

33 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

9815pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

151nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.2 毫欧 @ 75A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I2PAK

典型关闭延迟时间

54 ns

功率-最大值

231W

包装

管件

单位重量

2.387 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

封装

Tube

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

封装/箱体

I2PAK-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

154 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

系列

FDI030N06

配置

Single

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