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  • 型号: STP30NM30N
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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STP30NM30N产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP30NM30N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP30NM30N价格参考。STMicroelectronicsSTP30NM30N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 300V 30A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP30NM30N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP30NM30N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 300V 30A TO-220

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

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产品图片

产品型号

STP30NM30N

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

MDmesh™ II

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2500pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

75nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

90 毫欧 @ 15A,10V

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供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-7521-5
STP30NM30N-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1166/PF151038?referrer=70071840

功率-最大值

160W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

300V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A (Tc)

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