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IRF9Z24PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9Z24PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9Z24PBF价格参考。VishayIRF9Z24PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 60V 11A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF9Z24PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9Z24PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF9Z24PBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS): IRF9Z24PBF适用于开关电源中的功率转换电路。其低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(Vds)特性使其能够高效地处理高频开关操作,适合DC-DC转换器、反激式变换器等设计。 2. 电机驱动与控制: 在小型直流电机或步进电机驱动中,该MOSFET可以用作开关元件,通过PWM(脉宽调制)信号来调节电机速度和方向。其快速开关能力和良好的热性能有助于提高系统的效率和稳定性。 3. 负载切换与保护: 该器件可用于各种负载切换应用,例如电池管理系统中的充放电控制、USB充电端口保护以及电子设备中的过流保护。它能够快速响应并切断异常电流路径,从而保护下游电路。 4. 音频放大器: 在一些功率音频放大器设计中,IRF9Z24PBF可以用作输出级的开关或线性放大元件,提供高效的功率传输和较低的失真。 5. LED驱动与背光控制: 对于大功率LED照明或液晶显示器背光控制,这款MOSFET可以实现精确的电流调节和亮度控制,同时保持较低的功耗。 6. 逆变器与太阳能系统: 在小型逆变器或太阳能微逆变器中,IRF9Z24PBF可作为关键的功率开关元件,用于将直流电转换为交流电,支持绿色能源解决方案。 7. 汽车电子: 由于其坚固耐用的设计,IRF9Z24PBF也可应用于汽车电子领域,如车载音响、电动车窗控制器、座椅加热器等需要高效功率管理的地方。 总之,IRF9Z24PBF凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛适用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等多个领域,尤其在需要高效功率转换和开关操作的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 11A TO-220ABMOSFET P-Chan 60V 11 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF9Z24PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9Z24PBFIRF9Z24PBF |
| Pd-PowerDissipation | 60 W |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| Qg-GateCharge | 19 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 280 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 2 V to - 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 2 V to - 4 V |
| 上升时间 | 68 ns |
| 下降时间 | 29 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 280 毫欧 @ 6.6A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF9Z24PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 280 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 1.4 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
| 漏极连续电流 | 11 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |